[发明专利]一种埋入电容的实现方法及电路板有效
申请号: | 201310479185.4 | 申请日: | 2013-10-14 |
公开(公告)号: | CN104582265B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 黄勇;吴会兰 | 申请(专利权)人: | 珠海方正科技高密电子有限公司;北大方正集团有限公司;珠海方正印刷电路板发展有限公司;方正信息产业控股有限公司 |
主分类号: | H05K1/16 | 分类号: | H05K1/16;H05K3/42 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 519175 广东省珠海市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 埋入 电容 实现 方法 电路板 | ||
1.一种埋入电容的实现方法,用于基于一导电图形层形成埋入电容,所述导电图形层的至少一面设置有用作所述埋入电容的第一电极的导电膜层,其特征在于,该方法包括以下步骤:
在所述导电膜层上形成第一绝缘层,并对所述第一绝缘层进行图形化操作,图形化后的第一绝缘层包含露出所述导电膜层的窗体;
向所述窗体填充电容膏;
对所述电容膏进行预固化操作;
在所述电容膏上压合第一导电层,并使得所述第一绝缘层和电容膏固化;
对所述第一导电层进行图形化操作,图形化后的第一导电层用作所述埋入电容的第二电极。
2.如权利要求1所述的埋入电容的实现方法,其特征在于,在低于所述第一绝缘层的材料的玻璃转化温度下,在所述导电膜层上形成第一绝缘层。
3.如权利要求1所述的埋入电容的实现方法,其特征在于,所述在所述导电膜层上形成第一绝缘层的步骤具体为:
在所述导电膜层上压合第一绝缘层。
4.如权利要求1所述的埋入电容的实现方法,其特征在于,所述向所述窗体填充电容膏的步骤之后还包括:
对所述电容膏进行压平操作。
5.如权利要求4所述的埋入电容的实现方法,其特征在于,所述压平操作通过金属刮刀实现。
6.如权利要求1所述的埋入电容的实现方法,其特征在于,所述对所述电容膏进行预固化操作的步骤具体为:
控制所述电容膏的温度处于所述电容膏的固化温度之下进行预固化,或控制所述电容膏和空气接触的时间小于所述电容膏在空气中完全固化所需要的时间进行预固化。
7.如权利要求1-6任一项所述的埋入电容的实现方法,其特征在于,所述对所述第一导电层进行图形化操作的步骤之后还包括:
在所述第一导电层上形成第二绝缘层;
对所述第二绝缘层进行图形化操作,图形化后的第二绝缘层包含过孔,露出所述埋入电容的第二电极;
在图形化后的第二绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层通过所述过孔与所述埋入电容的第二电极连接。
8.如权利要求7所述的埋入电容的实现方法,其特征在于,所述在图形化后的第二绝缘层上形成第二导电层,所述第二导电层通过所述过孔与所述埋入电容的第二电极连接具体包括:
对所述第二导电层进行图形化操作,图形化后的第二导电层包含与所述埋入电容的第二电极的位置对应的电极片,以及对应电极片的导电线路,所述电极片通过所述过孔与所述埋入电容的第二电极连接。
9.一种埋入电容的电路板,用于基于一导电图形层形成埋入电容,所述导电图形层的至少一面设置有用作所述埋入电容的第一电极的导电膜层,其特征在于,该电路板包括:
图形化的第一绝缘层,形成于所述导电膜层之上,包含露出所述导电膜层的窗体;所述窗体中填充有电容膏;
图形化的第一导电层,形成于所述第一绝缘层之上,用于在所述电容膏上形成所述埋入电容的第二电极,所述电容膏和第一导电层的接触面平整;
所述电容膏和第一导电层的接触面平整包括:
对窗体内的电容膏进行预固化,在压合第一导电层时,使得第一绝缘层和电容膏固化。
10.如权利要求9所述的电路板,其特征在于,所述电路板还包括:
图形化的第二绝缘层,形成于第一导电层之上,包含与所述埋入电容的第二电极的位置对应的过孔;
第二导电层,形成于第二绝缘层之上,通过所述过孔与所述埋入电容的第二电极连接。
11.如权利要求10所述的电路板,其特征在于,所述第二导电层为图形化的导电层,包含与所述埋入电容的第二电极的位置对应的电极片以及对应电极片的导电线路;所述电极片通过所述过孔与所述埋入电容的第二电极连接。
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