[发明专利]一种高纯度碳化硅的制备方法

权利要求书

1.一种高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，该方法包括使原料硅石或金属硅或两者的混合物的表面被含碳元素的碳源完全包裹制成原料颗粒，将原料颗粒在高温条件下发生反应制成碳化硅。

2.根据权利要求1所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述碳源为固态碳源，是在与硅元素反应中碳元素起还原反应或者起碳化反应的物质。

3.根据权利要求2所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述碳源为加热后能够生成碳的物质。

4.根据权利要求3所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述碳源选自石墨、木碳、焦炭、石油焦和木材中的一种或多种混合。

5.根据权利要求1所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述原料颗粒的最大对角线或最大直径为0.001mm～5mm。

6.根据权利要求1所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，将原料颗粒与含碳元素的碳源混合后再在高温条件下进行反应制成碳化硅。

7.根据权利要求1-6任意一项所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，将原料颗粒与木材混合后再在高温条件下进行反应制成碳化硅。

8.根据权利要求1所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述原料颗粒为形状和大小不同的混合原料颗粒。

9.根据权利要求8所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，将原料颗粒按照以下方式进行交替堆积：

根据原料颗粒的大小进行筛选，先将相同大小的原料颗粒铺成一层，形成第一堆积层(2)，再在第一堆积层(2)上铺一层与第一堆积层(2)中的原料颗粒大小不相同的原料颗粒形成第二堆积层(3)，且所述第二堆积层(3)中原料颗粒的大小相同，再按照上述方式进行交替堆积。

10.根据权利要求9所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述原料颗粒进行交替堆积形成的堆积层至少为两层。

11.根据权利要求9-10任意一项所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述原料颗粒的堆积层中设有含碳元素的碳源组成的条状物质（9），所述含碳元素的碳源组成的条状物质（9）的一端与发热体（1）接触，另一端延伸到堆积层外。

12.根据权利要求11所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述含碳元素的碳源组成的条状物质（9）选自碳棒、石墨棒、木棒和由含碳元素的碳源颗粒形成的条状物质且所述含碳元素的碳源颗粒的大小相同中的一种或几种。

13.根据权利要求1-6或8-10任意一项所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，使原料颗粒堆积在发热体上进行高温反应，且所述发热体的不同区域能够产生不同的温度。

14.根据权利要求13所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述发热体选自碳棒发热体、石墨棒发热体和碳粉发热体中的一种。

15.根据权利要求14所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述发热体为碳棒发热体，且所述碳棒发热体本体（1）周向设有若干环形凹槽（10），所述环形凹槽（10）沿着碳棒发热体本体（1）的轴向分布。

16.根据权利要求14所述高纯度碳化硅的制备方法，其特征在于，所述发热体为石墨棒发热体，所述石墨棒发热体本体（1）周向设有若干环形凹槽（10），所述环形凹槽（10）沿着石墨棒发热体本体的轴向分布。