[发明专利]顶发光蓝光有机发光二极管及其制造方法有效
申请号: | 201310476121.9 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103500801A | 公开(公告)日: | 2014-01-08 |
发明(设计)人: | 洪飞 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张艳杰;张浴月 |
地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 有机 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光二极管技术领域,尤其涉及一种顶发光蓝光有机发光二极管及其制造方法。
背景技术
近年来,有机发光二极管(OLED)已经被广泛地应用在显示和照明等领域。由于其具有主动发光、亮度高、视角宽、对比度高、功耗低、厚度薄、响应速度快、制备工艺简单和成本低,特别是高品质图像及便携式、柔性等优点,因此被公认为是下一代平板显示的主流技术之一。
有机发光二极管技术的最终目标是实现全彩显示,而全彩显示要求具有性能优良的RGB三基色发光材料。在现有技术中,绿光有机发光二极管的效率最高,红光次之,蓝光最低,由于蓝光的发光亮度、效率、稳定性和色纯度都无法与绿光相比,因此导致全彩显示的应用效率不均衡,从而必须通过较为复杂的面板设计和驱动IC设计来弥补。
通常,根据光的出射方向不同,有机发光二极管可分为底发光有机发光二极管和顶发光有机发光二极管,其中底发光有机发光二极管是从基板方向出射发射光,而顶发光有机发光二极管则是从背向基板的方向出射反射光。为了实现全彩显示面板的高开口率和色彩饱和度,有机发光二极管经常需要采用顶发光方式且要求有尽可能高的色纯度。而相比于底发光有机发光二极管,顶发光的蓝光有机发光二极管的发光效率则更低。
图1为传统的顶发光有机发光二极管的结构示意图。如图所示,传统的顶发光有机发光二极管采用不透明反射电极(即阳极)11覆盖在基底(未示出)上,并在反射电极11上依次生长第一空穴注入层12、第二空穴注入层13、空穴传输层14、发光层15、电子传输层16和透明电极(即阴极)17,其中由有机发光二极管中的发光层15产生的光一部分会直接穿过电子传输层16从顶部的透明电极17射出,而另一部分则会穿过空穴传输层14、第二空穴注入层13和第一空穴注入层12出射到反射电极11上,并通过反射电极11反射经顶部的透明电极17射出。由于现有技术中顶发光有机发光二极管多采用Ag、Al等金属作为反射电极(即阳极),而这些反射电极对蓝光波段的反射率大多在60%以下,因此造成了很大的光损失,导致蓝光的发光效率也相对较低。
综上所述,顶发光蓝光有机发光二极管性能的提高,尤其是蓝光的发光效率和出光的色纯度的提高对于产品的整体性能的提升将会起到很大的推动作用。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的问题,提供一种顶发光蓝光有机发光二极管及其制造方法,用以提高蓝光的发光效率和出光的色纯度。
为实现上述目的,本发明的实施例提供了一种顶发光蓝光有机发光二极管,包括:反射电极,用作阳极;空穴注入层,位于所述反射电极上方;发光层,位于所述空穴注入层上方;电子传输层,位于所述发光层上方;以及透明电极,位于所述电子传输层上方,用作阴极;其中,所述空穴注入层包含酞菁金属化合物。
本发明的实施例还提供了一种顶发光蓝光有机发光二极管制造方法,包括以下步骤:在基底上方设置反射电极,以用作阳极;在所述反射电极上方设置空穴注入层;在所述空穴注入层上方设置发光层;在所述发光层上方设置电子传输层;以及在所述电子传输层上方设置透明电极,以用作阴极;其中,所述空穴注入层包含酞菁金属化合物。
综上所述,本发明的顶发光蓝光有机发光二极管借助第二空穴注入层使蓝光在传输到阳极之前即被反射回去,因而能够提高顶发光蓝光有机发光二极管的发光效率、色纯度以及降低驱动电压,从而提高了产品的全彩显示的均衡性以及整体性能。
附图说明
图1为传统的顶发光有机发光二极管的结构示意图;
图2为本发明的顶发光蓝光有机发光二极管的结构示意图;以及
图3为本发明的顶发光蓝光有机发光二极管制造方法的流程图。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的实施例。应当注意,这里描述的实施例只用于举例说明,并不用于限制本发明。
图2为本发明的顶发光蓝光有机发光二极管的结构示意图。如图所示,所述顶发光蓝光有机发光二极管包括:反射电极21,用作阳极;第二空穴注入层23,位于反射电极21上方;发光层25,位于第二空穴注入层23上方;电子传输层26,位于发光层25上方;以及透明电极27,位于电子传输层26上方,用作阴极;其中,第二空穴注入层23包含酞菁金属化合物,且用于反射从发光层25发出的光。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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