[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种TFT阵列基板，包括

基板；

数据线，位于基板的上方；

公共电极，位于所述基板和数据线的上方，所述公共电极与所述数据线交叠，所述数据线包括远离基板一侧的第一表面，所述公共电极包括靠近基板一侧的第二表面，以及

栅绝缘层，位于基板的上方，公共电极的下方，所述栅绝缘层中形成凹槽，所述数据线位于所述凹槽内，以增大所述数据线的第一表面和所述公共电极的第二表面的距离；

所述凹槽不贯穿栅绝缘层；

所述凹槽的开口背向所述基板或朝向所述基板。

2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽朝向所述基板时，所述TFT阵列基板还包括：

连接线和连接孔，所述连接线位于所述栅绝缘层之上，所述连接孔贯穿于所述栅绝缘层，所述连接线通过所述连接孔连接于所述数据线。

3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括栅极线，位于基板与栅绝缘层之间，所述凹槽与所述栅极线在平面上不相交。

4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽在数据线走线方向上包括第一侧面，所述第一侧面与栅极线的距离大于4um。

5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽在栅极线走线方向上包括第二侧面，所述第二侧面与所述数据线的距离大于2um。

6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽的数量为至少一个。

7.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述凹槽在平面上呈梯形或平行四边形。

8.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述数据线的所述第一表面和所述公共电极的所述第二表面之间的距离大于1.5um。

9.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述TFT阵列基板还包括像素电极，所述像素电极位于公共电极的上方或下方。

10.如权利要求9所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述像素电极和所述公共电极中的至少一个具有梳齿状结构。

11.一种TFT阵列基板的制造方法，包括：

在基板上设置数据线；

形成栅绝缘层；

形成公共电极，所述公共电极位于所述基板、数据线和栅绝缘层的上方，所述公共电极与所述数据线交叠，所述数据线包括远离基板一侧的第一表面，所述公共电极包括靠近基板一侧的第二表面；

其中，在所述栅绝缘层形成凹槽，所述数据线位于所述凹槽内，以增大所述数据线的第一表面和所述公共电极的第二表面的距离；

所述凹槽不贯穿栅绝缘层；

所述凹槽的开口背向所述基板或朝向所述基板。

12.根据权利要求11所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述凹槽朝向所述基板时，还包括：

形成连接线和连接孔，所述连接线位于所述栅绝缘层之上，所述连接孔贯穿于所述栅绝缘层，所述连接线通过所述连接孔连接于所述数据线。

13.一种显示面板，包括：

如权利要求1-10任一项所述的TFT阵列基板；以及

彩膜基板，与所述TFT阵列基板相对设置。

14.一种显示装置，包括：

如权利要求1-10任一项所述的TFT阵列基板。