[发明专利]存储器系统及其读取回收方法

说明书

一种存储器系统，包括：非易失性存储器件，包括由每单元存储n位数据的存储块形成的第一存储区域和由每单元存储m位数据的存储块形成的第二存储区域，其中n和m是等于或大于1的不同的整数；和存储器控制器，配置为控制所述非易失性存储器件。所述存储器控制器被配置为执行读取操作，以及执行读取回收操作，在所述读取回收操作中，第二存储区域的目标存储块的有效数据被传送到第一存储区域的一个或多个存储块，目标存储块在读取操作期间被选择。当目标存储块的所有有效数据都被传送到第一存储区域的一个或多个存储块时，所述读取回收操作被处理为完成。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年10月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0110859号的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

这里描述的发明构思涉及半导体存储器件，更具体地，该发明构思涉及包括非易失性存储器的存储器系统和由该包括非易失性存储器的存储器系统执行的读取回收（readreclaim）方法。

背景技术

半导体存储器构成诸如范围从卫星到消费类电子产品的基于计算机和微处理器的应用的数字逻辑系统设计的重要微电子组件。半导体存储器的制造的进展有助于建立用于其他数字逻辑家族的性能标准，所述半导体存储器的制造的进展包括通过缩放（scaling）以实现更高密度和更快操作速度的工艺提高和技术发展。

一类半导体存储器是易失性随机存取存储器（RAM）。在易失性RAM器件中，通常通过诸如在静态随机存取存储器（SRAM）中建立双稳态触发器的逻辑状态或者通过诸如在动态随机存取存储器（DRAM）中充电电容器来存储逻辑信息。在任一情况中，器件被认为是易失性的，因为如果施加到所述器件的电力供应中断，存储的数据就丢失。

另一类半导体存储器是非易失性存储器，即使电力供应中断，其也保持存储的数据。例子包括掩模只读存储器（MROM）、可编程只读存储器（PROM）、可擦除可编程只读存储器（EPROM）以及电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。取决于使用的制造技术，在非易失性存储器中存储的数据可以是永久的或可重编程的。另外，非易失性存储器可以用于计算机、航空电子设备、电信和消费类电子产业中的各种各样的应用中的程序和微代码存储。在诸如非易失性SRAM（nvRAM）的器件中还会用到单片易失性和非易失性存储器存储模式的组合，以在需要快速、可编程的非易失性存储器的系统中使用。另外，已发展了许多专用存储器架构，其包含额外的逻辑电路以对于专用任务最优化它们的性能。

前面给出的非易失性存储器的例子中，MROM、PROM和EPROM不能由对应的系统自身擦除然后写入，因此普通用户难以或不能更新存储的内容。另一方面，EEPROM能够在系统级被电擦除然后写入。因此，EEPROM的应用已经扩展到需要连续更新的辅助存储器和系统编程。其例子是广泛采用的闪存。

发明内容

本发明构思的实施例的一个方面关注于提供一种存储器系统，其包括：非易失性存储器件，包括由每单元存储n位数据的存储块形成的第一存储区域和由每单元存储m位数据的存储块形成的第二存储区域，其中n和m是等于或大于1的不同的整数；和存储器控制器，配置为控制所述非易失性存储器件。所述存储器控制器被配置为执行读取操作，以及执行读取回收操作，在所述读取回收操作中，第二存储区域的目标存储块的有效数据被传送到第一存储区域的一个或多个存储块，目标存储块在读取操作期间被选择。当目标存储块的所有有效数据都被传送到第一存储区域的一个或多个存储块时，所述读取回收操作处理完成。