[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。

有机电致发光材料对氧气及水汽侵入特别敏感。一方面因为氧气是淬灭剂，会使发光的量子效率显著下降，氧气对空穴传输层的氧化作用也会使其传输能力下降；另一方面，水汽会对有机化合物产生水解作用，使其稳定性大大下降，从而导致器件失效，缩短OLED器件的寿命。因此，常常需要对OLED进行封装保护处理，使发光器件与外界环境隔离，以防止水分、有害气体等的侵入，进而提高OLED的稳定性和使用寿命。

对于OLED产品来说，若使用传统的OLED封装技术，在器件背部加上封装盖板，会产生重量大、造价高、机械强度差等问题，限制了OLED产品的性能发挥。目前，多数OLED的防水氧能力不强，且使用寿命较短，制备工艺复杂、成本高。

发明内容

为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件，该封装层可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器件有机功能材料及电极形成有效的保护，延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；

所述碳氧化硅阻挡层的材质为碳氧化硅；

所述无机阻挡层的材质为B₂O₃、Al₂O₃、Ga₂O₃、In₂O₃或Tl₂O₃。

在阴极外侧设置封装层，封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。优选地，与阴极相邻的是碳氧化硅阻挡层。

氮氧化硅阻挡层和无机阻挡层经过多次交替层叠可获得更好的水氧阻隔效果。优选地，封装层为交替层叠3～5次的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。

优选地，碳氧化硅阻挡层的厚度为200～300nm。

无机阻挡层的材质为B₂O₃、Al₂O₃、Ga₂O₃、In₂O₃或Tl₂O₃。

优选地，无机阻挡层的厚度为15～20nm。

由B₂O₃、Al₂O₃、Ga₂O₃、In₂O₃或Tl₂O₃形成的膜层是一种陶瓷膜，膜层致密，防水氧能力高，具有良好的水氧阻隔性，耐高温高压、耐腐蚀。碳氧化硅兼具SiO₂和Si₃N₄的特点，具有稳定的化学性质和较高的阻水性。碳氧化硅阻挡层具有有机物质和无机物质性质，表面平整度好，有利于无机物的沉积，同时避免出现裂痕。

优选地，阳极导电基板的材质为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。更优选地，阳极导电基板为铟锡氧化物（ITO）。

优选地，阳极导电基板的厚度为100nm。

发光功能层设置在阳极导电基板上。

发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。

优选地，空穴注入层的材质为MoO₃与NPB按照质量比1:3混合形成的混合物。

优选地，空穴注入层的厚度为10nm。

优选地，空穴传输层的材质为4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）。

优选地，空穴传输层的厚度为40nm。