[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，其特征在于，所述封装层为交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层；

所述碳氧化硅阻挡层的材质为碳氧化硅；

所述无机阻挡层的材质为B₂O₃、Al₂O₃、Ga₂O₃、In₂O₃或Tl₂O₃。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装层为交替层叠3～5次的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述碳氧化硅阻挡层的厚度为200～300nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为15～20nm。

5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供清洁的阳极导电基板，并对所述阳极导电基板进行活化处理；

S2、在所述阳极导电基板表面真空蒸镀制备发光功能层和阴极，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；

S3、在所述阴极表面采用等离子体增强化学气相沉积法制备碳氧化硅阻挡层；

S4、在所述碳氧化硅阻挡层表面采用原子层沉积法制作无机阻挡层，将制备有碳氧化硅阻挡层的有机电致发光器件样品置于原子层沉积系统的沉积室中，然后往所述沉积室中分别注入金属源和氧源，所述金属源为B(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃或Tl(CH₃)₃，所述氧源为水蒸气，反应后得到所述无机阻挡层，所述无机阻挡层的材质为B₂O₃、Al₂O₃、Ga₂O₃、In₂O₃或Tl₂O₃；

重复步骤S3～S4制得交替层叠的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层，最终得到所述有机电致发光器件。

6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤S3中的等离子体增强化学气相沉积法以六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷、四乙氧基硅烷为源，通入一氧化二氮和氩气的混合气体，制备工艺条件为六甲基二硅氧烷流量20～25sccm，四甲基硅烷流量20～25sccm，四乙氧基硅烷流量20～25sccm，混合气体流量20～50sccm。

7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤S4的原子层沉积法的一个制备周期为：

（a）将金属源随载气注入所述沉积室中并在所述碳氧化硅阻挡层上沉积，注入时间为10～20ms，载气流量为10～20sccm；

（b）注入载气冲洗沉积室，注入时间为5～10s，流量为10～20sccm；

（c）然后将水蒸气随载气注入沉积室中，与所述金属源发生反应，注入时间为10～20ms，载气流量为10～20sccm；

（d）注入载气冲洗沉积室，注入时间为5～10s，流量为10～20sccm。

8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装层为交替层叠3～5次的碳氧化硅阻挡层和无机阻挡层。

9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述碳氧化硅阻挡层的厚度为200～300nm。

10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为15～20nm。