[发明专利]有机发光显示器在审
申请号: | 201310453316.1 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN104425548A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 徐振航;吴幸怡;叶佳俊;辛哲宏;王旨玄 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示器。
背景技术
近年来,有机发光二极管(OLED)技术蓬勃发展。有机发光二极管的优点包括高亮度、高对比度以及广视角。有机发光二极管是发光二极管(LED)的一种,其中包含有机电致发光层。有机电致发光层的主要材料是有机化合物,当电流穿过该有机化合物时,有机化合物发射出光线。OLED装置最常出现的问题为有机发光层的劣化。有机发光层易与氧气和湿气发生反应,因而降低OLED装置的性能。因此,最好的情况是有机发光层能完全密封在OLED装置内。若能够完全防止氧气和水分渗入,则OLED装置的有效寿命可显著提高。但是,发展一个完全密封的封装工艺过程是相当困难的。因此,如何发展一个稳定有效的OLED封装结构、增进其可靠度是OLED产业的重要课题。
发明内容
本发明的一个方面是提供一种有机发光显示器,其能防止有机发光显示器中有机发光层劣化及受损。该有机发光显示器包含主动阵列基板、封装层、有机发光层、吸收剂层以及框胶。主动阵列基板用以驱动有机发光层。封装层与主动阵列基板相对设置,且封装层具有面向主动阵列基板的内侧表面。有机发光层配置在主动阵列基板上。吸收剂层用以吸收水和氧中的至少一种,吸收剂层位于封装层的内侧表面。框胶配置在主动阵列基板与封装层之间,且环绕有机发光层以及吸收剂层。
根据本发明一实施方式,封装层包含高分子层以及无机阻挡层,无机阻挡层用以阻挡水及氧中的至少一种穿透,且吸收剂层位于无机阻挡层上。
根据本发明一实施方式,高分子层的厚度为约0.005mm至约0.5mm。
根据本发明一实施方式,无机阻挡层包含氧化硅、氮化硅或上述的组合。
根据本发明一实施方式,封装层具有凹槽,且吸收剂层位于凹槽中。
根据本发明一实施方式,上述的有机发光显示器还包含高分子平坦层,其覆盖吸收剂层,其中高分子平坦层允许水及氧中的至少一种穿透。
根据本发明一实施方式,吸收剂层包含树脂层以及分散在树脂层中的多个吸收剂颗粒,且吸收剂颗粒包含至少一种材料选自氯化钙、氯化钴、硫酸钙、硫酸铜、氧化钙、沸石、硅胶、活性氧化铝以及上述的组合。
根据本发明一实施方式,封装层为可挠性玻璃基板,且可挠性玻璃基板的厚度为约10μm至约300μm。
根据本发明一实施方式,其中可挠性玻璃基板具有凹槽,且吸收剂层位于凹槽中。
根据本发明一实施方式,上述的有机发光显示器还包含高分子平坦层,其覆盖吸收剂层,其中高分子平坦层允许水及氧中的至少一种穿透。
根据本发明一实施方式,上述的有机发光显示器,还包含图案化间隔层,其位于可挠性玻璃基板上,其中图案化间隔层具有至少一个开口,且吸收剂层位于开口内。
附图说明
图1A为本发明一实施方式的有机发光显示器的俯视示意图。
图1B为图1A中沿BB’线段的剖面示意图。
图1C为本发明一实施方式的吸收剂层的示意图。
图2为本发明另一实施方式的有机发光显示器的剖面示意图。
图3为本发明再一实施方式的有机发光显示器的剖面示意图。
图4为本发明又一实施方式的有机发光显示器的剖面示意图。
图5为本发明又一实施方式的有机发光显示器的剖面示意图。
图6为本发明又一实施方式的有机发光显示器的剖面示意图。
图7-9为本发明另外三个实施方式的有机发光显示器的剖面示意图。
具体实施方式
为了使本技术方案内容的叙述更加详尽与完备,下文针对本发明的实施方式与具体实施例提出了说明性的描述;但这并非实施或运用本发明具体实施例的唯一形式。以下所公开的各实施例,在有益的情形下可相互组合或取代,也可在一实施例中附加其他的实施例,而无须进一步的记载或说明。
在以下描述中,将详细叙述许多特定细节以使读者能够充分理解以下的实施例。然而,可在没有这些特定细节的情况下实践本发明的实施例。在其他情况下,为简化附图,熟知的结构与装置仅示意性地在图中表示。
图1A为本发明一实施方式的有机发光显示器100的俯视示意图,图1B为图1A中沿BB’线段的剖面示意图。有机发光显示器100包含主动阵列基板110、封装层120、有机发光层130、吸收剂层140以及框胶150。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的