[发明专利]一种防弹碳化硼/碳化硅复合陶瓷制备方法有效

专利信息
申请号: 201310441997.X 申请日: 2013-09-25
公开(公告)号: CN103508734A 公开(公告)日: 2014-01-15
发明(设计)人: 鲍崇高;杨建锋;宋索成;杜天彬 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/563;C04B35/622
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贺建斌
地址: 710049*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 防弹 碳化 碳化硅 复合 陶瓷 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种防弹碳化硼/碳化硅复合陶瓷制备方法,其特征在于,包含以下步骤:

步骤一,均匀混料,将碳化硅粉末、纳米碳黑、酚醛树脂、碳化硼粉末四种组分按照重量比24:5:4:(1.7‐27)称量后,在研钵中将碳化硅粉末、碳化硼粉末、纳米碳黑三种固体混合,将酚醛树脂用酒精边搅拌边加入直至酚醛树脂充分溶解,加入到研钵中,放入球磨混料机中进行24小时充分混匀;

步骤二,造粒,将混匀的粉料用60MPa的压力进行加压,压力持续半分钟,然后通过80目的筛网进行造粒;

步骤三,模压成型,称重25.00g的团粒均匀地填充在50×50mm的磨具中,在120MPa的压力下用半自动压力成型机压制成型,制成生坯,加压方式为双向加压;

步骤四,烘干、固化,将生坯放入烘箱中进行烘干固化,在80℃下保温4小时,然后升温至100℃,再保温4个小时,最后以每分钟2℃的升温速度升至140℃保温8小时;

步骤五,渗硅反应烧结,在石墨坩埚中加入和生坯、石墨纸总重量等重的粒径5mm的硅粒,将固化好的生坯放置在金属硅上,连同石墨坩埚一起放入高温真空烧结炉内烧结,真空电阻炉预热30分钟后,开始抽真空,然后开始每半小时升加热电压一伏,当炉温达到1350℃的时候停止抽真空,继续升温至1600℃,在该温度下保温30分钟,接着停止加热,随炉温冷却至室温。

2.根据权利要求1所述的一种防弹碳化硼/碳化硅复合陶瓷制备方法,其特征在于:所述的碳化硅粉末的粒径为14μm。

3.根据权利要求1所述的一种防弹碳化硼/碳化硅复合陶瓷制备方法,其特征在于:所述碳化硼粉末的最佳粒径为14μm,断裂韧性最大。

4.根据权利要求1所述的一种防弹碳化硼/碳化硅复合陶瓷制备方法,其特征在于:所述碳化硼最佳重量分数为15%(wt%),复相陶瓷的抗弯强度、断裂韧性最高。

5.根据权利要求1所述的一种防弹碳化硼/碳化硅复合陶瓷制备方法,其特征在于,包含以下步骤:

步骤一,均匀混料,将碳化硅粉末、纳米碳黑、酚醛树脂、碳化硼粉末四种组分按照重量比24:5:4:1.7称量后,在研钵中将碳化硅粉末、碳化硼粉末、纳米碳黑三种固体混合,将酚醛树脂用酒精边搅拌边加入直至酚醛树脂充分溶解,加入到研钵中,放入球磨混料机中进行24小时充分混匀;

步骤二,造粒,将混匀的粉料用60MPa的压力进行加压,压力持续半分钟,然后通过80目的筛网进行造粒;

步骤三,模压成型,称重25.00g的团粒均匀地填充在50×50mm的磨具中,在120MPa的压力下用半自动压力成型机压制成型,制成生坯,加压方式为双向加压,生坯成分见表1.

表1生坯成分

步骤四,烘干、固化,将生坯放入烘箱中进行烘干固化,在80℃下保温4小时,然后升温至100℃,再保温4个小时,最后以每分钟2℃的升温速度升至140℃保温8小时;

步骤五,渗硅反应烧结,在石墨坩埚中加入和生坯、石墨纸总重量等重的粒径5mm的硅粒,将固化好的生坯放置在金属硅上,连同石墨坩埚一起放入高温真空烧结炉内烧结,真空电阻炉预热30分钟后,开始抽真空,然后开始每半小时升加热电压一伏,当炉温达到1350℃的时候停止抽真空,继续升温至1600℃,在该温度下保温30分钟,接着停止加热,随炉温冷却至室温,所述的碳化硅粉末的粒径为14μm,所述碳化硼粉末的粒径为14μm。

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