[发明专利]具有白光、黄光及红光感测元件的背面照射光学传感器阵列有效
申请号: | 201310439203.6 | 申请日: | 2013-09-24 |
公开(公告)号: | CN103681718B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 陈刚;毛杜立;戴幸志 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G01J1/42 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,王艳春 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 白光 红光 元件 背面 照射 光学 传感器 阵列 | ||
1.一种单片式背面照射光学传感器阵列,具有多个多像素单元,每个多像素单元包括主要用于感测红光的第一像素传感器、主要用于感测红光及绿光的第二像素传感器、以及具有全色感光度的第三像素传感器,每个所述多像素单元的多个像素传感器横向地相互邻近。
2.如权利要求1所述的光学传感器阵列,其中,每个所述像素传感器均具有吸收器区域,所述吸收器区域的深度根据波长决定注入物确定,所述第一像素传感器的吸收器区域延伸至低于所述阵列的前表面的第一深度,所述第二像素传感器的吸收器区域延伸至低于所述前表面的第二深度,所述第三像素传感器的吸收器区域延伸至低于所述前表面的第三深度,并且所述第一深度不等于所述第二深度。
3.如权利要求2所述的光学传感器阵列,其中,所述阵列制造在硅基板中。
4.如权利要求3所述的光学传感器阵列,其中,每个多像素单元还包括具有全色感光度的第四像素。
5.如权利要求3所述的光学传感器阵列,其中,每个多像素单元还包括主要用于感测红光的第四像素。
6.如权利要求3所述的光学传感器阵列,其中,每个多像素单元还包括主要用于感测红光与绿光的第四像素。
7.如权利要求1所述的光学传感器阵列,还包括通过将所述第二像素传感器的读取值减去所述第一像素传感器的读取值以确定绿光信号的装置。
8.如权利要求7所述的光学传感器阵列,其中,在进行将所述第二像素传感器的读取值减去所述第一像素传感器的读取值的运算之前,将所述第一像素传感器的读取值进行按比例缩放。
9.如权利要求7所述的光学传感器阵列,还包括通过将所述第三像素传感器的读取值减去所述第二像素传感器的读取值以确定蓝光信号的装置。
10.如权利要求8所述的光学传感器阵列,其中,每个像素传感器均具有波长决定扩散吸收器区域,所述第一像素传感器的波长决定吸收器区域延伸至第一深度,所述第二像素传感器的波长决定吸收器区域延伸至第二深度,所述第三像素传感器的波长决定吸收器区域延伸至第三深度,并且所述第一深度不等于所述第二深度。
11.如权利要求10所述的光学传感器阵列,其中,所述波长决定扩散的深度由波长决定注入物的能量确定。
12.如权利要求10所述的光学传感器阵列,其中,所述光学传感器阵列包括硅光学传感器。
13.如权利要求1所述的光学传感器阵列,滤色器阵列未对于每个多像素单元的一个或多个像素和对于多像素单元的其他像素具有不同的光穿透特性。
14.如权利要求13所述的光学传感器阵列,还包括红外光吸收滤光器,所述红外光吸收滤光器对于每个多像素单元的像素具有一致的光穿透特性。
15.一种用于确定红光信号、绿光信号及蓝光信号的方法,包括:
读取光学传感器阵列的第一像素传感器,以确定所述红光信号;
读取所述光学传感器阵列的第二像素传感器,以确定黄光信号;
将所述黄光信号减去所述红光信号,以确定所述绿光信号;
读取所述光学传感器阵列的第三像素传感器,以确定白光信号;以及
将所述白光信号减去所述黄光信号,以确定所述蓝光信号。
16.如权利要求15所述的方法,其中,在确定所述绿光信号之前,将所述红光信号与所述黄光信号至少之一进行按比例缩放。
17.如权利要求16所述的方法,其中,在确定所述蓝光信号之前,将所述黄光信号与所述白光信号至少之一进行按比例缩放。
18.如权利要求15所述的方法,其中,所述光学传感器阵列的每个像素传感器均具有扩散吸收器区域,所述扩散吸收器区域的感光度由波长决定注入物确定,所述第一像素传感器的吸收器区域延伸至第一深度,所述第二像素传感器的吸收器区域延伸至第二深度,所述第三像素传感器的吸收器区域延伸至第三深度,其中所述第一深度不等于所述第二深度,所述第一像素传感器与所述第二像素传感器横向邻近。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的