[发明专利]一种白光量子点发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.白光量子点发光二极管器件，包括基底上形成的阴极（1）、空穴传输层（2），量子点发光层（3），无机纳米颗粒发光层（4）和阳极（5），其特征在于：空穴传输层（2）厚10-50 nm,量子点发光层（3）厚5-30 nm,无机颗粒发光层（4）厚5-40 nm。

2.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件，其特征在于：所述的无机纳米颗粒发光层中的无机纳米颗粒包括ZnO、TiO₂、SnO₂以及两种纳米颗粒组成的复合纳米结构。

3.权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）在透明导电玻璃基板上制备空穴传输层，并在氮气环境下烧结0-40分钟，烧结温度100－200度；

2）将量子点层制备于空穴传输层之上，量子点发光层与空穴传输层共同在氮气环境下烧结0-40分钟，烧结温度60-200度；

3）将无机纳米颗粒发光层制备于量子点发光层之上，然后在氧气中烧结0-40分钟，烧结温度60-200 ℃；

4）最后制备阳极电极，电极材料为铝、银、金中的一种或几种。

4.权利要求3所述的白光量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于：所述量子点发光层中量子点为核壳结构，核为硫化镉、硒化镉、碲化镉、硫化铅、硒化铅中的一种或者几种，壳为硫化锌、硒化锌中的一种。

5.权利要求3所述的白光量子点发光二极管器件的制备方法，其特征在于：所述无机纳米颗粒发光层中的无机纳米颗粒包括ZnO、TiO₂、SnO₂以及两种纳米颗粒组成的复合纳米结构。