[发明专利]用于沉积多晶硅的方法

权利要求书

1.一种用于沉积多晶硅的方法，包括将包含含硅组分和氢气的反应气体引入反应器中，结果，所述多晶硅以棒的形式沉积，所述方法包括在所述沉积结束之后将所述棒递送至所述反应器中，在所述多晶丝棒和反应器内壁周围流动的气体进攻硅或硅化合物以溶解含硅颗粒，所述含硅颗粒在所述沉积过程中形成，并且在将所述多晶硅棒移出所述反应器之前附着在所述反应器内壁或所述多晶硅棒上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，引入进攻硅或硅化合物的所述气体，随后用氢气或者用惰性气体吹洗所述反应器，吹洗所述反应器以使其不含气体反应产物以及含硅组分的未转化的残余物。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在引入进攻硅或硅化合物的所述气体之前也用氢气或者用惰性气体吹洗所述反应器。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在引入进攻硅或硅化合物的所述气体的过程中，通过直接通电流将所述多晶硅棒加热至500-1000℃的温度。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，进攻硅或硅化合物的所述气体包括HCl，并且所述多晶硅棒的温度是500-1000℃。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用的进攻硅或硅化合物的所述气体是HCl和H₂的混合物。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，引入的进攻硅或硅化合物的所述气体是一种或多种氯硅烷和H₂的混合物，对所述多晶硅棒的温度、所述氯硅烷/H₂混合物的组成、以及所述氯硅烷的分流进行选择，以使所述氯硅烷进攻硅或硅化合物。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，使用H₂和三氯硅烷的混合物或者H₂、三氯硅烷和二氯硅烷的混合物，所述混合物由90-99mol%的H₂、1-10mol%的TCS、以及0-2mol%的DCS组成，所述氯硅烷的总分流速率是0.005-0.2kmol/h每1m²的所述多晶硅棒的表面积，并且所述多晶硅棒的温度是1100-1400℃。