[发明专利]多端口静态随机存取存储器的制造

说明书

本发明的一些实施例涉及包括在其上的鳍式场效应晶体管（FinFET）的集成电路。该集成电路包括具有第一导电类型并且相互分隔开的第一和第二有源鳍区。栅极介电层设置在第一和第二有源鳍区上方。第一和第二栅电极分别设置在第一和第二有源鳍区上方。第一和第二栅电极也设置在栅极介电层上方。第一和第二栅电极电连接在一起，并且通过栅极介电层与第一和第二有源鳍区电分隔开。第一栅电极由具有第一功函数的第一金属制成，并且第二栅电极由具有不同于第一功函数的第二功函数的第二金属制成。本发明还公开了一种多端口静态随机存储器的制造。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种多端口静态随机存储器的制造。

背景技术

FinFET器件用于提高器件性能，特别是在最小部件为20nm或更小的技术中。存储器，诸如静态随机存取存储器（SRAM）为例，是可采用FinFET的一个应用。在存储区内，由FinFET提供的小部件尺寸允许器件密集地封装在一起以取得相对密集的数据存储。

本发明提供了能够改变FinFET器件的电压阈值的技术以适应期望的应用。一个这样的应用是低功率存储器（例如，SRAM），其中不同的电压阈值可有助于获得可靠的读取操作和快速的写入操作之间的特别优良的平衡。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种集成电路，包括位于其上的鳍式场效应晶体管（FinFET），所述集成电路包括：

第一有源鳍区和第二有源鳍区，具有第一导电类型并且相互分隔开；

栅极介电层，设置在所述第一有源鳍区和所述第二有源鳍区上方；以及

第一栅电极和第二栅电极，分别设置在所述第一有源鳍区和所述第二有源鳍区上方，并且设置在所述栅极介电层上方，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极相互电连接在一起并且通过所述栅极介电层与所述第一有源鳍区和所述第二有源鳍区分隔开；

其中，所述第一栅电极由具有第一功函数的第一金属制成，并且所述第二栅电极由具有与所述第一功函数不同的第二功函数的第二金属制成。

在可选实施例中，所述栅极介电层为高K电介质。

在可选实施例中，所述第一金属和所述第二金属为难熔金属。

在可选实施例中，所述集成电路进一步包括：第三有源鳍区，具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；第三栅电极，设置在所述第三有源鳍区上方以及所述栅极介电层上方，其中，所述第三栅电极通过所述栅极介电层与所述第三有源鳍区电分隔开，所述第三栅电极是与所述第一金属和所述第二金属不同的第三金属。

在可选实施例中，所述第一栅电极和所述第二栅电极物理地连接在一起。

在可选实施例中，所述第一栅电极和所述第二栅电极相互之间朝着彼此直线延伸并且在界面处相互邻接。

在可选实施例中，所述第一金属栅电极的第一金属使得与所述第一有源鳍区相对应的第一FinFET具有第一阈值电压，并且所述第二金属栅电极的第二金属使得与所述第二有源鳍区相对应的第二FinFET具有第二阈值电压。

在可选实施例中，所述第一电压阈值高于所述第二电压阈值。

在可选实施例中，所述第一FinFET与静态随机存取存储（SRAM）单元的写入端口相对应，并且所述第二FinFET与所述SRAM单元的读取端口相对应。

根据本发明的另一方面，还提供了一种集成电路，包括：