[发明专利]摄像装置及其制造方法

权利要求书

1.一种摄像装置，其特征在于，具有：

具有主表面的半导体衬底；

光电转换部，其形成于所述半导体衬底的预定区域并将射入的光转换成电荷；

传输用晶体管的栅极电极，其形成于所述半导体衬底的表面上并传输在所述光电转换部产生的电荷；

侧壁绝缘膜，其覆盖所述栅极电极的侧壁面，并且包括从覆盖所述侧壁面的部分延伸并覆盖所述光电转换部的表面的部分；

层间绝缘膜，其以覆盖所述侧壁绝缘膜的方式形成；以及

波导，其以贯穿所述层间绝缘膜并到达所述侧壁绝缘膜的方式形成，并且将光导向所述光电转换部，

所述侧壁绝缘膜具有：

氧化硅膜；以及

以接触所述氧化硅膜的表面的方式形成的氮化硅膜；

所述氧化硅膜和所述氮化硅膜具有相同图形地层叠，

所述侧壁绝缘膜以连续地覆盖所述栅极电极的所述侧壁面、所述光电转换部的所述表面、以及规定像素区域和外围电路区域的元件隔离绝缘膜的方式形成。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

其中，所述波导以贯穿所述层间绝缘膜及所述氮化硅膜并到达所述氧化硅膜的方式形成。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

所述波导以贯穿所述层间绝缘膜并到达所述氮化硅膜的方式形成。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

所述波导包括：

保护膜，所述保护膜覆盖贯穿所述层间绝缘膜的开口部的表面；以及

埋入部件，所述埋入部件填埋于由所述保护膜覆盖的所述开口部。

5.根据权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，

所述保护膜为氮化硅膜，所述埋入部件为涂敷类的材料。

6.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

所述波导包括填埋于贯穿所述层间绝缘膜的开口部的预定的膜。

7.根据权利要求6所述的摄像装置，其特征在于，

所述预定的膜是氮化硅膜。

8.一种摄像装置的制造方法，其特征在于，包括：

形成栅极电极的工序，即在具有主表面的半导体衬底的表面上形成传输电荷的传输用晶体管的栅极电极；

形成光电转换部的工序，即在夹着所述栅极电极而定位的所述半导体衬底的一侧区域，通过注入预定导电型的杂质，形成将射入的光转换成电荷的光电转换部；

形成侧壁绝缘膜的工序，即以覆盖所述栅极电极及所述光电转换部的方式形成预定的绝缘膜，并通过对所述预定的绝缘膜进行加工，形成侧壁绝缘膜，所述侧壁绝缘膜覆盖所述栅极电极的侧壁面，并且包括从覆盖所述侧壁面的部分开始延伸并覆盖所述光电转换部的表面的部分；

以覆盖所述侧壁绝缘膜的方式形成层间绝缘膜的工序；

在所述层间绝缘膜形成到达所述侧壁绝缘膜的开口部的工序；以及

形成波导的工序，即以填埋所述开口部的方式形成将光导向所述光电转换部的波导的工序，

形成所述侧壁绝缘膜的工序包括为了形成所述预定的绝缘膜而进行的以下工序：

形成氧化硅膜的工序；以及

以接触所述氧化硅膜的表面的方式形成氮化硅膜的工序，

在形成所述侧壁绝缘膜的工序中，所述侧壁绝缘膜以连续地覆盖所述栅极电极的所述侧壁面、所述光电转换部的所述表面、以及规定像素区域和外围电路区域的元件隔离绝缘膜的的方式形成。

9.根据权利要求8所述的摄像装置的制造方法，其特征在于，

其中，在形成所述开口部的工序中，以贯穿所述层间绝缘膜并使所述氮化硅膜露出的方式形成所述开口部，

在形成所述波导的工序中，以到达所述氮化硅膜的方式形成所述波导。