[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二极管显示器，包括：

基板；

在基板上方的氧化物半导体层；

在氧化物半导体层上方的平坦化层；

在平坦化层上方的发光二极管；

在发光二极管上方的钝化层；和

在平坦化层和钝化层之间的氢阻挡层，用以阻挡氢自钝化层扩散至氧化物半导体层。

2.如权利要求1所述的显示器，还包括：

在基板上的栅极线、数据线和电源线，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；和

在像素区中的薄膜晶体管，

其中所述薄膜晶体管包括氧化物半导体材料的氧化物半导体层，和

其中所述氢阻挡层的面积大于所述氧化物半导体层的面积。

3.如权利要求2所述的显示器，其中所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌（IGZO）、氧化锌铟（ZIO）、氧化锌镓（ZGO）和氧化锌锡（ZTO）中的一种，和

其中所述钝化层是氮化硅（SiNx）层、氮氧化硅（SiON）层和氧化硅（SiOx）层中的一种。

4.如权利要求1所述的显示器，其中所述氢阻挡层包括氧化铟锡（ITO）、氧化铟锌（IZO）、钼（Mo）、钼钛合金（MoTi）、铜（Cu）、银（Ag）、金（Au）、Ti、锆（Zr）、钍（Th）、钒（V）、钯（Pd）、镍（Ni）和锡（Sn）中的一种。

5.如权利要求1所述的显示器，还包括：

在氧化物半导体层和平坦化层之间的另一钝化层；和

在基板上的栅极线、数据线和电源线，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区，

其中所述发光二极管包括位于另一钝化层上且位于像素区中的第一电极、位于第一电极上的发光层和位于发光层上的第二电极，和

其中所述氢阻挡层与第一电极形成在相同层上。

6.如权利要求5所述的显示器，其中所述氢阻挡层由与第一电极相同的材料形成。

7.如权利要求1所述的显示器，其中所述氢阻挡层设置在钝化层和发光二极管之间。

8.如权利要求1所述的显示器，还包括：

在基板上的栅极线、数据线和电源线，栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；和

在氧化物半导体层和平坦化层之间的另一钝化层；

其中所述发光二极管包括位于另一钝化层上且位于像素区中的第一电极、位于第一电极上的发光层和位于发光层上的第二电极，和

其中所述氢阻挡层设置在第二电极上。

9.一种显示面板，包括：

根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器；和

显示区，包括所述显示器的钝化层，

其中所述显示器的氢阻挡层位于钝化层下方且包围显示区。

10.如权利要求9所述的显示面板，其中所述氢阻挡层的第一表面接触钝化层，所述氢阻挡层的第二表面接触平坦化层；和

其中所述第二表面大于第一表面。

11.一种制造有机发光二极管显示器的方法，所述方法包括：

形成基板；

在基板上方形成氧化物半导体层；

在氧化物半导体层上方形成平坦化层；

在平坦化层上方形成发光二极管；

在发光二极管上方形成钝化层；和

在平坦化层和钝化层之间形成氢阻挡层以阻挡氢自钝化层扩散向氧化物半导体层。

12.如权利要求11所述的方法，还包括：

在基板上形成栅极线、数据线和电源线，所述栅极线和数据线彼此交叉以限定像素区；和

在像素区中形成薄膜晶体管，

其中所述薄膜晶体管包括氧化物半导体材料的氧化物半导体层，和

其中所述氢阻挡层的面积大于所述氧化物半导体层的面积。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌（IGZO）、氧化锌铟（ZIO）、氧化锌镓（ZGO）和氧化锌锡（ZTO）中的一种，和

其中所述钝化层是氮化硅（SiNx）层、氮氧化硅（SiON）层和氧化硅（SiOx）层中的一种。