[发明专利]光控晶闸管内置过压保护的检测方法及状态信号的生成装置

权利要求书

1.一种光控晶闸管内置过压保护的检测方法，其特征在于，步骤为：

（1）当光控晶闸管承受正向电压时，对晶闸管的电压状态进行采集并将电压稳定在晶闸管的标称稳压值内，对该电压状态信号进行整形后得到晶闸管的状态信号，转化为光信号后发送至控制系统；当光控晶闸管承受反向电压时，不进行操作；

（2）控制系统接收晶闸管的状态信号，将晶闸管的状态信号与控制系统的触发控制信号进行相与，得到相与后信号；在控制系统的触发信号的每个上升沿时刻生成一个检测脉冲，在检测脉冲的控制下由相与后信号生成过压检测结果；

（3）在每个工频周期时刻之后至下个检测脉冲到来之前读取过压检测结果，若为高电平时，判断过压保护已经动作；若为低电平时，判断过压保护尚未动作。

2.根据权利要求1所述的光控晶闸管内置过压保护的检测方法，其特征在于，所述步骤（2）中生成过压检测结果的方法为：输入相与后信号，在检测脉冲到来时刻，过压检测结果取相与后信号电压并保持不变直到下个检测脉冲到来。

3.一种采用上述权利要求1或2所述检测方法的状态信号的生成装置，其特征在于：包括位于每个晶闸管级中光控晶闸管两端的第一检测电路、第二检测电路；所述第一检测电路一端与SVC晶闸管级中反并联的两个光控晶闸管的一端连接，另一端通过SVC晶闸管级中的静态均压电阻R2与所述第二检测电路连接；所述第二检测电路的另一端与SVC晶闸管级中反并联的两个光控晶闸管另一端相连；所述第一检测电路检测、第二检测电路分别检测两个反并联光控晶闸管中对应光控晶闸管的电压状态，输出晶闸管状态信号；

所述第一检测电路包括第一稳压管V1、第一分压电阻R3、第一施密特触发电路及第一光纤发射回路；所述第一稳压管V1与所述第一分压电阻R3并联；所述第一施密特触发电路的一端连接第一稳压管V1，另一端连接第一光纤发射回路；所述第一光纤发射回路另一端连接电源；

所述第二检测电路包括第二稳压管V3、第二分压电阻R6、第二施密特触发电路及第二光纤发射回路；所述第二稳压管V3与所述第二分压电阻R6并联；所述第二施密特触发电路的一端连接第二稳压管V3，另一端连接第二光纤发射回路；所述第二光纤发射回路另一端连接电源；所述第一稳压管V1与所述第二稳压管V3方向相反。

4.根据权利要求3所述的状态信号的生成装置，其特征在于：所述第一施密特触发电路包括第一电阻R4、第一电容C4及第一非门S1、第二非门S2；所述第一非门S1与第二非门S2串联，所述第一非门S1与第二非门S2的串联分别与第一电阻R4、第一电容C4并联。

5.根据权利要求4所述的状态信号的生成装置，其特征在于：所述第一光纤发射回路包括依次串联的第一三极管V2、第一光纤发射器T1及第三电阻R5。

6.根据权利要求3所述的状态信号的生成装置，其特征在于：所述第二施密特触发电路包括第二电阻R7、第二电容C6及第三非门S3、第四非门S4；所述第三非门S3与第四非门S4串联，所述第一非门S1与第二非门S2的串联分别与第二电阻R7、第二电容C6并联。

7.根据权利要求6所述的状态信号的生成装置，其特征在于：所述第二光纤发射回路包括依次串联的第二三极管V4、第二光纤发射器T2及第四电阻R8。