[发明专利]一种半导体切割液

说明书

技术领域

本发明涉及切割液的技术领域，具体地说是一种半导体切割液。

背景技术

在晶棒切片过程中，由于强机械力的作用，硅片边沿容易出现微裂、崩边和应力集中点，硅片表面也存在应力分布不均和损伤，这些缺陷是造成IC制造中产生大量滑移线、外延层错、滑移位错、微缺陷等二次缺陷以及硅片、芯片易破裂的重要因素。晶棒切片中存在的损伤和应力的问题已经成为微电子工业继续发展的障碍，线切割工艺中克服线锯的晃动、提高其稳定性，对降低硅片表面损伤、特别是表面较粗糙的缺陷具有重要作用，但选择性能优良的线切割液更是减小或避免上述问题的重要途径。

发明内容

本发明的目的是提供一种化学作用强，效果好的半导体切割液。

本发明的技术方案是一种半导体切割液，所述各材料按以下重量组份组成：分子量200-10000聚乙二醇35-90份，pH值调节剂10-25份，渗透剂2-8份，螯合剂2-8份，去离子水余量。

进一步地说，所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)。

进一步地说，所述螯合剂是FA/O。

本发明的优点是能有效降低表面张力、减少摩擦力，切割片薄，成品率明显优于其它切割润滑产品。

具体实施方式

本发明结合以下实施例作进一步描述，

实施例1，一种半导体切割液，所述各材料按以下重量组份组成：分子量200-10000聚乙二醇35份，pH值调节剂25份，渗透剂8份，螯合剂2份，去离子水余量；所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)；所述螯合剂是FA/O。

实施例2，一种半导体切割液，所述各材料按以下重量组份组成：分子量200-10000聚乙二醇90份，pH值调节剂10份，渗透剂2份，螯合剂8份，去离子水余量；所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)；所述螯合剂是FA/O。

实施例3，一种半导体切割液，所述各材料按以下重量组份组成：分子量200-10000聚乙二醇62.5份，pH值调节剂17.5份，渗透剂5份，螯合剂6份，去离子水余量；所述渗透剂是聚氧乙烯仲烷基醇醚(JFC)；所述螯合剂是FA/O。

应理解，该实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外，应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的保护范围之内。