[发明专利]阵列基板及其检测方法和制备方法有效
申请号: | 201310384877.0 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103513454A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 李梁梁;郭总杰;丁向前;刘耀;白金超 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 检测 方法 制备 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板以及该阵列基板的检测方法和制备方法。
背景技术
平板显示装置相比与传统的阴极射线管显示装置具有轻薄、驱动电压低、没有闪烁抖动以及使用寿命长等优点;平板显示装置分为主动发光显示装置与被动发光显示装置;例如,薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)就是一种被动发光显示装置,由于其具有画面稳定、图像逼真、辐射小、节省空间以及节省能耗等优点,被广泛应用于电视、手机、显示装置等电子产品中,已占据了平面显示领域的主导地位。
液晶显示装置主要包括液晶显示面板以及驱动该液晶显示面板的驱动装置;液晶显示面板主要包括相对设置的第一基板和第二基板;通常,第一基板和第二基板分别为阵列基板和彩膜基板,阵列基板包括纵横交错设置的多条数据线以及多条栅线,数据线和栅线限定出一个个像素单元。
液晶显示面板的制作工艺主要分为前段阵列制程(Array)、中段成盒制程(Cell)及后段模组组装制程等。为了减少Array制程和Cell制程中液晶显示面板画面检测的难度以及减少检测设备费用,目前业界最常采用的方法之一是在阵列基板上设置shorting bar(短路条)区域,即在阵列基板上的数据线和栅线等线路的外围形成出一些用来测试的线路;如图1中所示,在阵列基板的外围形成有第一检测线3以及第二检测线4,其中第一检测线3用于对所有奇数列数据线进行信号测试,第二检测线4用于对所有偶数列数据线进行信号测试;而且, 测量相邻两条数据线间的电阻,例如万用表的两根探针分别接触上述相邻的两条数据线,根据得到的电阻值就可以判断这两条数据线之间是否有短路发生,例如,检测到的电阻值很大,则说明无短路发生,而检测到的电阻值很小,则基本可以判断发生了短路。
由于shorting bar区域设置在液晶显示面板的外围,而且为了方便测试,需要与液晶显示面板中的大量的数据线或者栅线相连,这样很容易造成静电电荷积累,例如,如图2中所示,会致使在金属线交叠的区域发生静电击穿,造成短路或断路等不良;而且由于一些shorting bar区域位于在阵列基板的边缘位置,很多工艺制程在边缘位置都很不稳定,例如,采用铝成分作为检测线的材质时,由于边缘位置存在hillock(突出部)等问题,这样更加容易发生静电击穿,使shorting bar区域发生不良;shorting bar区域的不良会致使整个液晶显示面板在测试的时候被判成不良品,而shorting bar区域在最后成品时是被切割掉的,不会影响最终显示装置的显示效果,这样就造成了误判,即将一部分液晶显示面板合格但是shorting bar区域存在不良的产品误判为不合格产品,一方面影响了显示装置的良品率,另一方面造成了严重的浪费。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明的目的在于提供一种阵列基板,用于减少或者避免由于shorting bar区域的不良造成合格产品被误判为不合格产品的问题;进一步的,本发明还提供了一种该阵列基板的检测方法和制备方法。
(二)技术方案
本发明技术方案如下:
一种阵列基板,包括第一检测线、第二检测线以及相间设置的第一数据线和第二数据线;所述第一数据线直接连接至第一检测线,第二数据线通过开关元件连接至第二检测线;或者,所述第二数据线直 接连接至第二检测线,第一数据线通过开关元件连接至第一检测线。
优选的,所述开关元件为第一薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管的栅极连接至控制线。
优选的,所述阵列基板显示区域包括阵列排布的第二薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管与第二薄膜晶体管构造相同。
优选的,所述阵列基板还包括栅极金属层以及源漏金属层;所述第一检测线与所述栅极金属层同层设置;所述第二检测线与所述第一薄膜晶体管的源极连接,所述第二数据线与所述第一薄膜晶体管的漏极连接。
优选的,所述第二检测线与所述源漏金属层同层设置,所述第一数据线以及第二数据线与源漏金属层同层设置;所述第一检测线通过过孔与所述第一数据线直接连接,所述第二检测线与所述第一薄膜晶体管的源极为一体结构。
优选的,所述第二检测线与所述栅极金属层同层设置,所述第一数据线以及第二数据线与源漏金属层同层设置,所述第一检测线通过过孔与所述第一数据线直接连接,所述第二检测线通过过孔与所述第一薄膜晶体管的源极连接。
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