[发明专利]一种可提高成像质量的TDI-CCD像元结构无效
| 申请号: | 201310384700.0 | 申请日: | 2013-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN103489886A | 公开(公告)日: | 2014-01-01 |
| 发明(设计)人: | 周刚;周九飞;赵嘉鑫;徐正平;陈志超 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
| 代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 张伟 |
| 地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 提高 成像 质量 tdi ccd 结构 | ||
技术领域
本发明属于CCD器件制造及应用技术领域,具体涉及一种可提高成像质量的TDI-CCD像元结构。
背景技术
TDI(Time Delay Integration)CCD(时间延迟积分电荷耦合器件)利用多级光敏元对同一运动目标进行多次积分,能增强光信号的采集,其具有低噪声,宽动态范围等优点,广泛应用于成像检测,航空、航天遥感等领域。
TDI-CCD工作原理是:假设TDI-CCD具有m×n个像元,m为水平方向像元数,n为垂直方向的像元数,也是对应的积分级数。成像时,随着成像系统与目标之间的相对运动,TDI-CCD从第n级至第1级逐级对同一目标感光,电荷也逐级累积,当最后一级像元感光结束时,累积电荷输出,完成对该目标的成像。如果像元之间没有非感光区域,则填充因子为100%。传统观点认为,填充因子越高,成像效果越好,灵敏度高。但实际情况是填充因子越高,灵敏度虽然越高,但是成像质量反而变差。
由于理想情况下,获得高质量图像的前提是需要确保TDI-CCD的行转移速度与焦平面上图像的运动速度保持一致,即在一行曝光周期内,TDI-CCD的像元在TDI方向上与目标保持相对静止。但是TDI-CCD的行转移是离散方式,对于传统的填充因子为100%的TDI-CCD而言,这将导致单行像元在一行转移周期内实际收集的是2行像元对应的目标区域光能量,并且该区域内各点得到的曝光时间长度不相等,这种条件下所获得的图像受到了污染,称之为像移。据分析,这种像移曝光量约占获取目标曝光量的1/4。
发明内容
为了解决现有技术中存在的技术问题,本发明在不改变原像元所占面积的情况下,通过缩小TDI方向上像元的感光区域尺寸,提供一种可提高成像质量的TDI-CCD像元结构。
为了解决上述技术问题,本发明的技术方案具体如下:
一种可提高成像质量的TDI-CCD像元结构,该像元结构上的感光区域满足:
该感光区域TDI方向上的宽度小于或等于像元结构TDI方向上的宽度的25%。
在上述技术方案中,该感光区域的宽度为TDI方向上的像元结构的长度的12.5%。
本发明具有以下的有益效果:
本发明的一种可提高成像质量的TDI-CCD像元结构,在不改变原像元所占面积的情况下,使TDI-CCD在TDI方向上相邻像元之间的非感光区域占原像元面积的75%以上,即缩小TDI方向上像元的感光区域尺寸,具有这种形状像元的TDI-CCD,可以有效地提高成像质量。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是m×n级填充因子为100%的TDI-CCD结构示意图;
图2是填充因子为100%的单像元结构示意图;
图3是本发明的单像元结构示意图;
图4是本发明的m×n级TDI-CCD结构示意图。
具体实施方式
本发明的发明思想为:
本发明的可提高成像质量的TDI-CCD像元结构,在不改变原像元所占面积的情况下,通过使TDI-CCD在TDI方向上相邻像元之间的非感光区域占原像元面积的75%以上,即缩小TDI方向上像元的感光区域尺寸,来有效地提高成像质量。
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白,下面结合附图,对本发明作一步详细说明。
图1是m×n级填充因子为100%的TDI-CCD结构示意图,由m×n个像元101组成,如图2所示,像元201的尺寸为b×c,整个像元表面均为感光区域。减少TDI方向上的感光区域,如图3所示,像元感光区301的尺寸为a×c,像元的非感光区302的尺寸为(b–a)×c。则改善后的m×n级的TDI-CCD结构示意图如图4所示。
当a=b/4时,单像移量将减少为1/16,有效图像曝光量是原来的5/16;当a=b/8时,像移量将减少为1/32,有效图像曝光量是原来的31/192。本发明的TDI-CCD像元结构能有效地提高成像质量。
在本具体实施方式中,只需满足感光区域在TDI方向上的宽度a小于等于25%×b即可实现本发明的发明目的,在此不再赘述。
在上述具体实施方式中:
所述TDI-CCD:时间延迟积分电荷耦合器件;
所述像元:TDI-CCD中最小的感光单元;
所述TDI方向:像元的一个方向,为TDI-CCD的像元阵列垂直方向,也是像元电荷逐行转移方向,与像在CCD像面上的移动方向保持一致;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,未经中国科学院长春光学精密机械与物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310384700.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





