[发明专利]水性蚀刻剂及其导电线路构造与导电线路图案化制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种含有强氧化物前驱物(Precursor)的水性蚀刻剂组成及其导电线路结构与导电线路图案化(Patterning)制备方法，特别涉及尤指一种应用于导电基材构造的电子装置，并利用前述的水性蚀刻剂于导电层上形成所需的导电线路图案的方法。

背景技术

目前蚀刻剂多为直接使用强氧化物对导电膜进行化学蚀刻以形成所需的图案化(Patterning)导电图形，其缺点是稳定性差、产出物质量不易控制、且易腐蚀损坏制具。另外，也有利用高能量的荷电粒子束来形成导电图形，或使用较多的曝光显影的制备方法。现有导电基材的导电线路图案化技术:例如：一美国专利US7,704,677B2(Samsung Mobile Display Co.,Ltd.)揭露了一种使用荷电粒子束(Charged Particle Beam)通过光罩(Shadow Mask)照射导电高分子层，使所照射的导电高分子层区域形成不导电区，而未照射到荷电粒子束的区域则形成导电区，由此形成所需的导电线路，此方法使用到非常昂贵的荷电粒子束加速器(Charge Particle Beam Accelerator)。

另一美国专利US8,252,386B2(Samsung Electronics Co.,Ltd.)则揭露了一种形成导电高分子膜的方法，将一感光树脂(Photosensitive Polymer Resin)与一种氧化剂(oxidant)的混合物混合，之后涂于一透明底材上，再利用气相聚合Vapor-Phase Polymerization(VPP)的方式，在其透明底材上的氧化剂混合物表面形成导电膜，然后使用紫外光照射含有感光性压克力聚脂(Polyester Acrylate)或压克力环氧树脂(Epoxy Acylate)的感光聚合物以形成导电线路。

另一美国发明专利5,976,284(Secretary of the Navy of the US,Geo-Centers,Inc.)则揭露了一种利用光阻剂(Photoresist)以曝光显影方式在导电高分子特定区域的表面形成一遮蔽层，再使用强氧化剂提高露出的导电高分子部分的电阻或移除露出的导电高分子，然后再以除去遮蔽层的方式，使底材上形成所需的导电高分子图形。

另一美国发明专利6,340,496(Agfa-Gevaert)则揭露一种含有ClO^-、BrO^-、MnO₄^-、Cr₂O₇^-、S₂O₈^-、H₂O₂氧化物的印刷溶液来提高底材上导电高分子的电气阻抗。

现有技术均直接使用具有高腐蚀性或氧化性的强氧化物、昂贵复杂的制备方法来形成图案化的导电图形。

发明内容

本发明主要目的在于提供一种含有强氧化物前驱物(Precursor)的水性蚀刻剂，该强氧化物前驱物化学组成结构中含有氯，且其化学产出物包括至少以下一种强氧化物：Cl^-、ClO、H₂ClO₂、ClO₂、ClO₂^-、ClO₃^-、HClO₃、HClO₄，其中，该水性蚀刻剂为pH值大于7.0，其强氧化物前驱物含量为10%以下，且为稳定态的二氧化氯水溶液（Stabilized Chlorine Dioxide Solution），其中该水性蚀刻剂为碱性，含有碳酸盐，至少包括碳酸钠与碳酸氢钠中的一种，此外，该水性蚀刻剂含有水溶性树脂或增粘剂中的一种，其中该水溶性树脂或增粘剂至少包括聚乙烯醇(PVA)、水溶性纤维素(CMC)、聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone,PVP)或硅酸盐(Fumed Silica)其中的一种。所述强氧化物通过光辐射反应、干燥脱水反应、或热分解反应其中任一或组合方式所产生，主要应用于导电基材构造所需的蚀刻制备过程，由此形成特定的氧化区域分区图案化(Patterning)技术。