[发明专利]水性蚀刻剂及其导电线路构造与导电线路图案化制备方法

权利要求书

1.一种含有强氧化物前驱物的水性蚀刻剂，其特征在于，所述强氧化物前驱物的化学组成结构中含有氯，且其化学产出物至少包括以下一种强氧化物：Cl^-、ClO、H₂ClO₂、ClO₂、ClO₂^-、ClO₃^-、HClO₃、HClO₄。

2.一种设有导电基材的电子装置，其特征在于，所述电子装置包含一底材和一图案化具有传感器功能的导电线路，该导电线路设于所述底材表面且与电子装置内所设电路电气连接，所述导电线路由含有强氧化物前驱物的水性蚀刻剂所形成，其中，强氧化物前驱物的化学组成结构中含有氯，且其化学产出物包括以下至少一种的强氧化物：Cl^-、ClO、H₂ClO₂、ClO₂、ClO₂^-、ClO₃^-、HClO₃、HClO₄。

3.一种利用含有强氧化物前驱物的水性蚀刻剂对导电层进行导电线路图案化的制备方法，其包括有以下步骤：

在一含有本质性导电的共轭导电高分子导电膜上需要进行氧化处理的预定区域，覆盖一层含有强氧化物前驱物的水性蚀刻剂，其中，强氧化物前驱物的化学组成结构中含有氯，且其化学产出物包括以下至少一种的强氧化物：Cl^-、ClO、H₂ClO₂、ClO₂、ClO₂^-、ClO₃^-、HClO₃、HClO₄；

利用干燥、加热、辐射光照射其中任一或组合的方式，使强氧化物前驱物产生所述强氧化物，通过对导电层预定不需导电的区域进行蚀刻以形成高电阻或完全不导电区域，即非导电区，所述非导电区以外的区域即形成所需的导电线路，其中，非导电区的电气阻抗为导电线路的电气阻抗100倍以上至完全不导电。

4.一种利用含有强氧化物前驱物的水性蚀刻剂对导电层进行导电线路图案化的一种制备方法，其包括有以下步骤：

在含有本质性导电的共轭导电高分子的导电层上方设置一光罩，并在导电层表面覆盖一层大于光罩照射范围的含有强氧化物前驱物的水性蚀刻剂，其中，强氧化物前驱物的化学组成结构中含有氯，且其化学产出物包括以下至少一种的强氧化物：Cl^-、ClO、H₂ClO₂、ClO₂、ClO₂^-、ClO₃^-、HClO₃、HClO₄；

通过所述光罩照射预定不需导电的区域且覆盖有所述水性蚀刻剂的导电层，使受辐射光照射的水性蚀刻剂产生所述强氧化物，通过对预定不需导电的导电层进行蚀刻以形成高电阻或完全不导电的非导电区，并于所述非导电区以外区域形成所需的导电线路，其中，非导电区的电气阻抗为导电线路的电气阻抗100倍以上至完全不导电；使用水、PH值低于7的酸性水溶液、有机溶剂其中任一清除液，将留在导电线路表面与非导电区表面未反应的水性蚀刻剂与其反应后的残留物予以去除。

5.如权利要求1或2所述的水性蚀刻剂，其中，所述强氧化物通过光辐射分解反应、干燥脱水分解反应、或加热分解反应其中任一或组合的方式产生。

6.如权利要求3所述的水性蚀刻剂对导电层进行导电线路图案化的制备方法，其中，导电层表面形成所需的导电线路后，使用水、PH值低于7的酸性水溶液、有机溶剂其中任一清除液，将留在非导电区表面的水性蚀刻剂残留物予以去除。

7.如权利要求1至4中任一项所述的水性蚀刻剂，其中，所述强氧化物前驱物为稳定态的二氧化氯水溶液。

8.如权利要求7所述的水性蚀刻剂，其中，该水性蚀刻剂为碱性，其pH值大于7.0。