[发明专利]铝基线路板及其制备方法、电子元件全封装

说明书

技术领域

本发明属于电子器件技术领域，具体涉及一种铝基线路板及其制备方法和一种电子元件全封装。

背景技术

智能功率模块发热较大，因此需要良好的散热设计以解决可靠性问题，行业上常见的做法是在封装体上设置散热片并将散热片外露，属于半包封结构。目前，金属基线路板作为功率器件绝缘散热组件而广为应用，这些线路板板一般由金属基板、绝缘层、铜箔三层结构组成，其中以价廉、质轻的铝基板居多。

现有的半包封功率模块集成度不高，因此需要增加外围电路元件，导致产品体积较大，不利于产品的小型化；将外围电路集成在器件内部，而使器件小型化是一种趋势，然而高集成后的半包封产品更容易发生可靠性问题，因此有将器件做成全包封结构（即电子元件全封装），但封装在模块内部的铝基线路板容易在潮湿的环境下受到来自塑封料中离子的腐蚀，使线路板和塑封料间分层，导致可靠性问题。

对于解决铝基板腐蚀问题，线路板行业通常将铝基板氧化处理后使用，但氧化后的铝基板与塑封料间仍存在结合力差的问题。目前，行业上有对纯铝基板粗化的做法，如拉丝、喷砂。但对于带氧化铝层的铝基板，这些方法并不适用。拉丝破坏了氧化层结构，影响了防腐蚀效果；喷砂不易粗化硬度较高的氧化铝层。

发明内容

本发明实施例的目的在于克服现有技术的上述不足，提供一种用于制备电子元件全封装的铝基线路板及其制备方法，旨在克服现有铝基板的氧化铝层粗化困难，铝基板与塑封料间结合力差的技术问题。

本发明实施例的另一目的在于提供一种可靠性高的电子元件全封装。

为了实现上述发明目的，本发明实施例的技术方案如下：

一种铝基线路板，其用于制备电子元件全封装，所述铝基线路板包括依次层叠结合的第一阳极氧化铝层、纯铝层、第二阳极氧化铝层、导热绝缘层和线路层，其中，所述第一阳极氧化铝层具有利用激光刻蚀形成的粗糙度为0.5～9.5μm的外表面，用于增强其与电子元件全封装的封装层之间的结合力。

以及，一种制备用于电子元件全封装的铝基线路板的方法，包括如下步骤：

制备包括有依次层叠结合的第一阳极氧化铝层、纯铝层、第二阳极氧化铝层、导热绝缘层和线路层的铝基线路板半成品；

将所述铝基线路板半成品的第一阳极氧化铝层外表面采用电流强度为8.5～9.5A的激光刻蚀，使得第一阳极氧化铝层外表面的粗糙度为0.5～9.5μm。

以及，一种电子元件全封装，包括铝基线路板和对铝基线路板进行全包封的封装层，所述铝基线路板为上述的铝基线路板或者由上述的铝基线路板的方法制备获得的铝基线路板。

上述用于制备电子元件全封装的铝基线路板的第一阳极氧化铝层外表面采用激光刻蚀，使得第一阳极氧化铝层外表面具有特定的粗糙度，从而显著提高了该铝基线路板与电子元件全封装的封装层之间的结合力，从而使得上述含有该铝基线路板的电子元件全封装结构稳定，不分层，不开裂，并且该高的结合力还显著提高了电子元件全封装的散热性能，使电子元件全封装的综合可靠性提升。

上述铝基线路板的制备方法采用特定电流强度的激光对第一阳极氧化铝层进行刻蚀，能有效保证第一阳极氧化铝层不被击穿，且能使得其表面具有特定的粗糙度，有效克服现有氧化铝层刻蚀方法中存在的粗化困难或易被破坏的技术问题。另外，采用激光刻蚀，其条件易控制，生产效率高。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明，附图中：

附图1为本发明实施例铝基线路板的结构示意图；

附图2为本发明实施例电子元件全封装的剖面结构示意图；

附图3为本发明实施例用于电子元件全封装的铝基线路板制备方法的工艺示意图；

附图4为本发明实施例电子元件全封装制备方法的工艺示意图；

附图5未经激光刻蚀的基板落锤冲击的超声扫描图片；

附图6激光刻蚀后的基板落锤冲击的超声扫描图片。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明实例提供了一种用于制备电子元件全封装的，且与塑封料间结合力高，能有效解决腐蚀问题的铝基线路板。该铝基线路板结构如图1、2所示，该铝基线路板1包括依次层叠结合的第一阳极氧化铝层11、纯铝层12、第二阳极氧化铝层13、导热绝缘层14和线路层15。