[发明专利]液晶显示面板及其TFT阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示面板及其TFT阵列基板的制造方法,特别涉及一种垂直配向液晶显示面板及其TFT阵列基板的制造方法。

背景技术

光配向VA（Vertical Alignment，垂直排列）型的液晶显示面板以其面板结构简单、制程简易以及具有较高的开口率的优点广受生产商的青睐。

如图1所示为VA型液晶显示面板的剖面图，该液晶面板包括TFT阵列基板100、彩膜基板200以及位于TFT阵列基板和彩膜基板之间的多个液晶分子LC。其中，彩膜基板200包括彩膜玻璃基板210、设置于该玻璃基板210上的黑色矩阵201和RGB色阻202、位于黑色矩阵和RGB色阻之上的导电层205以及位于该导电层之上的配向膜206。

与该彩膜基板200相对设置的TFT阵列基板100包括：阵列玻璃基板110，位于该玻璃基板110上的多条扫描线101、多条共用配线（图中未示）、栅绝缘层（图中未示）、多条数据线（图中未示）、多个TFT（图中未示）、平坦层102、多个像素电极105以及位于像素电极之上的配向膜106。其中，扫描线和数据线交叉限定多个像素区，像素电极105位于像素区内，并与对应的TFT电连接，且像素电极105之间具有狭缝。TFT还与对应的扫描线101以及数据线电连接，栅绝缘层覆盖扫描线和共用配线，而平坦层102形成于玻璃基板110上方并覆盖TFT和数据线。多个像素电极105位于平坦层102之上以及位于像素电极105之上的配向膜106。

多个液晶分子LC设置与TFT阵列基板100和彩膜基板200之间，当在输入电压驱动时，通过TFT阵列基板的像素电极105和彩膜基板的导电层205的搭配，VA液晶分子LC因光配向制程往特定方向倾倒，因为液晶分子ＬＣ受到倾倒方向与像素电极边缘电场的影响，会在像素电极边缘处形成黑纹，如图2所示，当输入电压驱动时，往特定方向倾倒的液晶分子LC会受到像素电极边缘电场的影响，某些液晶分子会保持垂直方向直立，此处光不会通过，因而产生黑纹。如图3所示，图中给出一个像素区50，扫描线501位于像素区中心，当输入电压驱动时，受特定方向倾倒的液晶分子LC会在像素电极边缘电场的影响下，产生如图3中所示的在电极边缘处形成黑纹502。

发明内容

发明目的：解决现有光配向VA型液晶显示面板的在像素电极边缘处形成黑纹降低显示面板的开口率的问题。

技术方案：为了达到上述发明目的，本发明提供一种液晶显示面板，包括：彩膜基板、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板以及位于该彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶，其中，TFT阵列基板包括：由多条扫描线和多条数据线交叉限定的多个像素区、位于像素区内的多个像素电极和多个TFT，TFT与对应的像素电极电连接，且TFT还与对应的扫描线和数据线相电连接；以及一平坦层，形成于所述的TFT和所述的数据线之上并覆盖TFT和数据线；所述的平坦层具有多个凹槽。

进一步，所述的平坦层的厚度介于2.4um至3um；

进一步，所述的凹槽的宽度小于5um；

进一步，所述的凹槽的深度小于2.4um；

进一步，所述的像素电极位于所述的平坦层之上并延伸到所述的凹槽区域；

进一步，所述的凹槽形成于所述的平坦层在对应液晶倾倒方向侧的像素电极的边缘处。

本发明还给出了一种TFT阵列基板的制造方法，包括如下步骤：

步骤1：在TFT阵列的玻璃基板上形成多条扫描线、多条数据线、多个TFT；扫描线和数据线交叉限定多个像素区，TFT与对应的扫描线以及数据线电连接；

步骤2：在形成上述图案的阵列基板上形成具有多个凹槽的平坦层；

步骤3：对形成上述图案的阵列基板进行曝后烤制程，使得凹槽的面曲面化；

步骤4：在形成上述图案的阵列基板上形成多个像素电极,并使像素电极的边缘延伸入凹槽区域；并像素电极与所述的TFT相电连接。

步骤5：在形成上述图案的阵列基板上形成配向膜。

进一步，在所述的步骤2中，所述的凹槽的宽度小于5um；

进一步，在所述的步骤2中，所述的凹槽的深度小于2.4um。

有益效果：本发明利用在平坦层制程中加入凹槽的设计，可以在不增加制程的情况下，消除像素电极边缘处形成黑纹的问题，在确保像素电极驱动时的开口率，有效提高VA液晶显示器的透过率。

附图说明

图1为现有技术VA型液晶显示面板的剖面图；

图2为现有技术VA型液晶显示面板像素区中央与电极边缘处形成黑纹的示意图；