[发明专利]液晶显示面板及其TFT阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示面板，包括：彩膜基板、与该彩膜基板相对设置的TFT阵列基板以及位于该彩膜基板和TFT阵列基板之间的液晶，其中，TFT阵列基板包括：由多条扫描线和多条数据线交叉限定的多个像素区、位于像素区内的多个像素电极和多个TFT，TFT与对应的像素电极电连接，且TFT还与对应的扫描线和数据线相电连接；以及一平坦层，形成于所述的TFT和所述的数据线之上并覆盖TFT和数据线；其特征在于：所述的平坦层具有多个凹槽。

2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其他正在于：所述的平坦层的厚度介于2.4um至3um。

3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其他正在于：所述的凹槽的宽度小于5um。

4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其他正在于：所述的凹槽的深度小于2.4um。

5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其他正在于：所述的像素电极位于所述的平坦层之上并延伸到所述的凹槽区域。

6.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其他正在于：所述的凹槽形成于所述的平坦层在对应液晶倾倒方向侧的像素电极的边缘处。

7.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于：包括如下步骤；

步骤1：在TFT阵列的玻璃基板上形成多条扫描线、多条数据线、多个TFT；扫描线和数据线交叉限定多个像素区，TFT与对应的扫描线以及数据线电连接；

步骤2：在形成上述图案的阵列基板上形成具有多个凹槽的平坦层；

步骤3：对形成上述图案的阵列基板进行曝后烤制程，使得凹槽的面曲面化；

步骤4：在形成上述图案的阵列基板上形成多个像素电极,并使像素电极的边缘延伸入凹槽区域；并像素电极与所述的TFT相电连接；

步骤5：在形成上述图案的阵列基板上形成配向膜。

8.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述的步骤2中，所述的凹槽的宽度小于5um。

9.根据权利要求7所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于：在所述的步骤2中，所述的凹槽的深度小于2.4um。