[发明专利]隔离结构的形成方法

权利要求书

1.一种隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有沟槽；

向所述沟槽填充第一绝缘层，所述第一绝缘层内具有孔洞；

采用干法刻蚀工艺蚀刻所述第一绝缘层直至所述孔洞顶部打开；

向所述沟槽填充满第二绝缘层。

2.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺向所述沟槽填充所述第一绝缘层，采用高密度等离子体化学气相沉积工艺向所述沟槽填充满所述第二绝缘层。

3.如权利要求2所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述高密度等离子体化学气相沉积工艺采用的气体包括SiH₄和O₂，所述SiH₄的流量范围包括5sccm～300sccm，所述O₂的流量范围包括5sccm～500sccm，所述高密度等离子体化学气相沉积工艺采用的温度范围包括300℃～800℃，采用的压力范围包括0mTorr～50mTorr，采用的射频功率范围包括100W～5000W。

4.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺采用的气体包括C₄F₈、C₅F₈和C₄F₆中的一种或者多种的任意组合，所述气体流量范围包括1sccm～400sccm，所述干法刻蚀工艺采用的温度范围包括0℃～150℃，采用的压力范围包括1mTorr～500mTorr，采用的射频功率范围包括100W～5000W。

5.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，向所述沟槽填充所述第一绝缘层时，所述第一绝缘层填充满所述沟槽。

6.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，向所述沟槽填充所述第一绝缘层时，出现所述孔洞即停止填充。

7.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，在采用所述干法刻蚀工艺蚀刻所述第一绝缘层之后，且在向所述沟槽填充满所述第二绝缘层之前，所述形成方法还包括：进行清洗处理。

8.如权利要求7所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，所述清洗处理采用浓度范围包括0.5%～2%的NH₄OH溶液或者NH₄OH:H₂O₂:H₂O等于1:2:40的溶液进行清洗，所述清洗处理的温度范围包括30℃～60℃。

9.如权利要求7或8所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，在进行所述清洗处理之后，且在向所述沟槽填充满所述第二绝缘层之前，所述形成方法还包括：进行干燥处理，所述干燥处理采用异丙醇法进行干燥，所述干燥处理的温度范围包括20℃～30℃，干燥时间大于2min。

10.如权利要求1所述的隔离结构的形成方法，其特征在于，在向所述沟槽填充满所述第二绝缘层之后，所述隔离结构的形成方法还包括：对所述第二绝缘层进行平坦化处理。