[发明专利]硅通孔的抛光方法有效
| 申请号： | 201310365548.1 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN104425353B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 许金海;丁宇杰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅通孔 抛光 方法 | ||
1.一种硅通孔的抛光方法，包括：
提供半导体基底，所述半导体基底上具有硅通孔，所述半导体基底上覆盖有一铜层，所述铜层填充所述硅通孔，所述铜层上方的铜表面具有填充圆环；
对所述铜层进行第一抛光，以去除70％～90％的所述铜层；
对所述铜层进行第二抛光，以形成铜导线层；其中，所述第二抛光的底下压力小于所述第一抛光的底下压力，并且所述第二抛光包括第二主抛光和第二过抛光，所述第二主抛光通过抛光液的变化量控制抛光终点，所述第二过抛光通过抛光时间控制抛光终点。
2.如权利要求1所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，在对所述铜层进行第二抛光步骤之后，还包括：对所述半导体基底进行退火工艺。
3.如权利要求2所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述退火工艺包括：进行第一升温，升温到第一温度后，保持第一时间；
进行第二升温，升温到第二温度后，保持第二时间；
进行自然冷却。
4.如权利要求3所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第一升温的升温速率为0.5℃/min～1.5℃/min，所述第一温度为140℃～160℃，所述第一时间为2min～10min。
5.如权利要求3所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第二升温的升温速率为2.5℃/min～3.5℃/min，所述第二温度为290℃～310℃，所述第二时间为20min～2h。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光和所述第二抛光在同一抛光垫上进行抛光。
7.如权利要求1-5中任意一项所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光通过终点监测控制抛光终点。
8.如权利要求1-5中任意一项所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光的研磨浆料流速为100ml/min～200ml/min。
9.如权利要求1-5中任意一项所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光的底下压力为2psi～5psi。
10.如权利要求1-5中任意一项所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第一抛光的转速为50rpm～100rpm。
11.如权利要求1所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第二主抛光和第二过抛光的研磨浆料流速均为100ml/min～200ml/min。
12.如权利要求1所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第二主抛光和第二过抛光的底下压力均为0.5psi～2psi。
13.如权利要求1所述的硅通孔的抛光方法，其特征在于，所述第二主抛光和第二过抛光的转速均为50rpm～100rpm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
