[发明专利]薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置

说明书

本发明涉及薄膜晶体管基板。本发明的一个实施例提供的薄膜晶体管基板包括：基板；位于基板上的栅极；位于栅极上的栅极绝缘膜；位于栅极绝缘膜上的氧化物半导体；位于氧化物半导体上的第一层间绝缘膜；位于第一层间绝缘膜上的数据线；位于数据线上的第二层间绝缘膜；位于第二层间绝缘膜上的源极，通过第二层间绝缘膜的第一接触孔与氧化物半导体以及数据线相连；位于第二层间绝缘膜上的漏极，通过第二层间绝缘膜的第二接触孔与半导体相连。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管及包含此的有机发光显示装置。

背景技术

薄膜晶体管（thin film transistor，TFT）应用于平板显示装置等多种电子装置中。例如，薄膜晶体管在液晶显示装置（liquid crystal display，LCD）、有机发光显示装置（organic light emitting diode display，OLED Display）、电泳显示装置（electrophoretic display）等平板显示装置中作为开关元件或驱动元件而使用。

薄膜晶体管包括：连接于传递扫描信号的栅极线的栅极；连接于数据线的源极，该数据线传递将施加到像素电极的信号；与源极面对的漏极；以及电连接于源极和漏极的半导体。

其中，半导体是确定薄膜晶体管的特性的重要因素。这种半导体使用最为广泛的是硅（Si）。硅根据结晶形态分为非晶硅和多晶硅，非晶硅虽然制造工艺简单，但是电荷迁移率低，因而在制造高性能薄膜晶体管时受到局限，而多晶硅虽然电荷迁移率高，但是要求结晶化硅的步骤，因而制造费用和工艺比较复杂。

为了弥补非晶硅和多晶硅的缺陷，正在进行对于利用氧化物半导体（oxidesemiconductor）的薄膜晶体管的研究，所述氧化物半导体相比非晶硅，电荷迁移率高，通断比高，而且所述氧化物半导体相比多晶硅，成本低廉，均一度高。

而且，对于利用具有较低的比电阻（resistivity）的金属形成配线，据此提高电流移动速度的方法的必要性变高。

但是，为了形成低电阻配线，金属配线的厚度变厚，因此，在进行湿式蚀刻时由于偏斜（skew）而导致发生侧蚀（undercut）。这种侧蚀导致驱动电流减小，而且需要增加配线的大小，以对侧蚀进行补偿，因此存在晶体管的大小增大的问题。

如此，若晶体管的大小增加，则寄生电容增加，而且需要与此成比例地增加电路内的电容器的容量，因此存在所必需的电容器的面积增大的问题。

如此，如果晶体管的大小增加，且电容器的面积增加，则存在像素的开口率（aperture ratio）减少的问题。

发明内容

本发明所要解决的问题在于提供一种在不减少包含氧化物半导体的晶体管的特性的情况下，缩小晶体管的大小而增大像素的开口率的薄膜晶体管基板及有机发光显示装置。

而且，本发明所要解决的问题在于提供一种能够在不增加电容器的面积的情况下，增加电容器的容量的薄膜晶体管基板及有机发光显示装置。

本发明的一个实施例提供的薄膜晶体管基板包括：基板；位于基板上的栅极；位于栅极上的栅极绝缘膜；位于栅极绝缘膜上的氧化物半导体；位于氧化物半导体上的第一层间绝缘膜；位于第一层间绝缘膜上的数据线；位于数据线上的第二层间绝缘膜；位于第二层间绝缘膜上的源极，该源极通过第二层间绝缘膜的第一接触孔与氧化物半导体以及数据线相连；位于第二层间绝缘膜上的漏极，该漏极通过第二层间绝缘膜的第二接触孔与半导体相连。

还可包括位于所述第二层间绝缘膜上的像素电极，像素电极与所述漏极形成为一体。

所述源极、漏极、像素电极可以由透明的导电物质形成。

所述源极、漏极以及像素电极可以由铟锡氧化物（ITO）和铟锌氧化物（IZO）中的至少一个形成。