[发明专利]薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置有效
申请号: | 201310365525.0 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN103779355B | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 崔千基 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 金玉兰;金光军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 包含 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
位于所述基板上的第一信号线;
与所述第一信号线交叉的第二信号线和第三信号线;
与所述第一信号线和第二信号线连接的第一晶体管;
与所述第一晶体管和所述第三信号线连接的第二晶体管;
与所述第二晶体管连接的有机发光元件,
所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以及与所述第二晶体管连接的所述有机发光元件的第一电极在相同的层上由相同的物质形成,
所述有机发光显示装置还包括电容器,该电容器包括:
位于所述基板上的电容器用第一导电体;
位于所述电容器用第一导电体上的栅极绝缘膜;
位于所述栅极绝缘膜上的第一层间绝缘膜;
位于所述第一层间绝缘膜上的电容器用第二导电体;
位于所述电容器用第二导电体上的第二层间绝缘膜;
位于所述第二层间绝缘膜上的电容器用第三导电体,
所述第一导电体通过形成于所述栅极绝缘膜、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的第三接触孔与所述第三导电体电连接,
相比所述第二信号线以及第三信号线,所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以更薄的厚度形成,以最小化在进行湿式蚀刻时发生的因偏斜而导致的侧蚀的形成。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以及与所述第二晶体管连接的所述有机发光元件的第一电极由透明的导电物质形成。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述透明的导电物质包含铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一个。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,还包括位于所述第二信号线和第三信号线上的层间绝缘膜,其中
所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以及与所述第二晶体管连接的所述有机发光元件的第一电极位于所述层间绝缘膜上。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述第一晶体管的源极通过所述层间绝缘膜的第一接触孔与所述第二信号线相连,
所述第二晶体管的源极通过所述层间绝缘膜的第二接触孔与所述第三信号线相连。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述第二信号线为施加数据信号的数据线,
所述第三信号线为施加恒定电压的共同电源线。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一导电体由与所述第一信号线相同的物质形成,
所述第二导电体由与所述第二信号线以及第三信号线相同的物质形成,
所述第三导电体由与所述第一电极相同的物质形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的