[发明专利]薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置有效

专利信息
申请号: 201310365525.0 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN103779355B 公开(公告)日: 2019-01-11
发明(设计)人: 崔千基 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;金光军
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 包含 有机 发光 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示装置,包括:

基板;

位于所述基板上的第一信号线;

与所述第一信号线交叉的第二信号线和第三信号线;

与所述第一信号线和第二信号线连接的第一晶体管;

与所述第一晶体管和所述第三信号线连接的第二晶体管;

与所述第二晶体管连接的有机发光元件,

所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以及与所述第二晶体管连接的所述有机发光元件的第一电极在相同的层上由相同的物质形成,

所述有机发光显示装置还包括电容器,该电容器包括:

位于所述基板上的电容器用第一导电体;

位于所述电容器用第一导电体上的栅极绝缘膜;

位于所述栅极绝缘膜上的第一层间绝缘膜;

位于所述第一层间绝缘膜上的电容器用第二导电体;

位于所述电容器用第二导电体上的第二层间绝缘膜;

位于所述第二层间绝缘膜上的电容器用第三导电体,

所述第一导电体通过形成于所述栅极绝缘膜、所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的第三接触孔与所述第三导电体电连接,

相比所述第二信号线以及第三信号线,所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以更薄的厚度形成,以最小化在进行湿式蚀刻时发生的因偏斜而导致的侧蚀的形成。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以及与所述第二晶体管连接的所述有机发光元件的第一电极由透明的导电物质形成。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述透明的导电物质包含铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一个。

4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,还包括位于所述第二信号线和第三信号线上的层间绝缘膜,其中

所述第一晶体管和第二晶体管的源极和漏极以及与所述第二晶体管连接的所述有机发光元件的第一电极位于所述层间绝缘膜上。

5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述第一晶体管的源极通过所述层间绝缘膜的第一接触孔与所述第二信号线相连,

所述第二晶体管的源极通过所述层间绝缘膜的第二接触孔与所述第三信号线相连。

6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,所述第二信号线为施加数据信号的数据线,

所述第三信号线为施加恒定电压的共同电源线。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一导电体由与所述第一信号线相同的物质形成,

所述第二导电体由与所述第二信号线以及第三信号线相同的物质形成,

所述第三导电体由与所述第一电极相同的物质形成。

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