[发明专利]图像传感器件及方法在审
| 申请号： | 201310362353.1 | 申请日： | 2013-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN104051477A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 戴志和;江柏融;苏柏菖;陈启峰;林荣义 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 图像传感器 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
像素，包括衬底和所述衬底内的光电二极管；
第一光学阻挡层，位于所述衬底上方；
第二光学阻挡层，位于所述第一光学阻挡层上方，所述第二光学阻挡层与所述第一光学阻挡层分隔开；以及
开口，穿过所述第一光学阻挡层和所述第二光学阻挡层以允许光照射到所述光电二极管上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括粘合层，位于所述第一光学阻挡层和所述第二光学阻挡层之间。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括第二粘合层，位于所述第一光学阻挡层和所述衬底之间。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，进一步包括第三粘合层，位于所述第二光学阻挡层上方。
5.一种半导体器件，包括：
位于衬底上方的光阻挡层，其中，所述光阻挡层包括光学阻挡层和粘合层的重复图案；以及，
穿过所述光阻挡层的开口，所述开口露出位于所述衬底内的光电二极管上方的所述衬底。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述重复图案具有第一光学阻挡层和第二光学阻挡层。
7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
在衬底上方形成阻挡层，其中，形成所述阻挡层进一步包括：
在所述衬底上方形成光学阻挡层；以及
在所述光学阻挡层上方形成粘合层；
重复阻挡层的形成一次或多次以形成阻挡区域；
去除所述阻挡区域的一部分以露出位于所述衬底内的光电二极管上方的衬底。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，重复所述阻挡层的形成包括重复阻挡层的形成一次。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，重复所述阻挡层的形成包括重复阻挡层的形成两次。
10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在形成所述阻挡层之前，在所述衬底的上方形成钝化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
