[发明专利]制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺

权利要求书

1.一种制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，其特征在于：制作第一次多晶硅时，按如下步骤进行：

1）在衬底层（1）表面淀积二氧化硅层（2）；

2）在二氧化硅层（2）表面淀积氮化硅层（3）；

3）在氮化硅层（3）表面淀积第一次多晶硅层（4），并对第一次多晶硅层（4）进行掺杂处理；

4）对第一次多晶硅层（4）进行刻蚀，第一次多晶硅层（4）被刻蚀后形成多个第一次多晶硅条（4-1）；刻蚀操作采用过刻蚀方式进行，过刻蚀量小于氮化硅层（3）厚度，从而在氮化硅层（3）表面形成过刻蚀区（5）；

5）淀积层间氮化硅层（7）；层间氮化硅层（7）将第一次多晶硅条（4-1）和过刻蚀区（5）全部覆盖；层间氮化硅层（7）的淀积厚度与步骤4）中的过刻蚀量相同；

6）对层间氮化硅层（7）进行热氧化处理，以修复层间氮化硅层（7）上的针孔缺陷；

7）在层间氮化硅层（7）表面淀积第二次多晶硅层，并对第二次多晶硅层进行掺杂处理；

8）对第二次多晶硅层进行刻蚀，第二次多晶硅层被刻蚀后形成多个第二次多晶硅条（8）；刻蚀操作采用过刻蚀方式进行，过刻蚀量与步骤4）中的过刻蚀量相同；二次多晶硅制作完成；

若无制作三次多晶硅的需求，则继续后续的CCD制作工艺；若需要制作三次多晶硅时，在步骤8）的处理完成后，继续如下步骤：

9）采用与步骤5）、6）、7）、8）相同的操作，在器件上制作出三次多晶硅；若无制作四次多晶硅的需求，则继续后续的CCD制作工艺；若需要制作四次多晶硅时，在步骤9）的处理完成后，继续如下步骤：

10）采用与步骤5）、6）、7）、8）相同的操作，在器件上制作出四次多晶硅，然后继续后续的CCD制作工艺。

2.根据权利要求1所述的制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，其特征在于：所述刻蚀采用干法刻蚀进行。

3.根据权利要求1所述的制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，其特征在于：所述氮化硅层（3）厚度70~90nm，所述过刻蚀量为10~20nm。

4.根据权利要求1所述的制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，其特征在于：第一次多晶硅层（4）厚度为450~550nm；第二次多晶硅层（8）厚度为400~450nm；第三次多晶硅层厚度为350~400nm；第四次多晶硅层厚度为300~350nm。

5.根据权利要求1所述的制作CCD二次或二次以上多晶硅的工艺，其特征在于：步骤5）中，在淀积层间氮化硅层（7）之前，对第一次多晶硅条（4-1）进行热氧化处理，使第一次多晶硅条（4-1）表面形成多晶硅热氧化层。