[发明专利]包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法

权利要求书

1.一种封装的MEMS器件，其包括：

具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；

部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；

与膜相邻的背板；以及

灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。

2.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件，进一步包括盖子，其中盖子被部署在MEMS器件的第二主表面上。

3.根据权利要求2所述的封装的MEMS器件，其中，

盖子包括背面容积。

4.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件，其中，

背面容积包括垂直的侧壁。

5.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件，其中，

背面容积包括调和的侧壁。

6.根据权利要求1所述的封装的MEMS器件，其中，

膜和背板被配置为电容性地感测声信号。

7.一种器件，其包括：

组件；

与组件相邻部署的换能器；

在换能器旁边的换能器开口；

灌封组件、换能器和部分换能器开口的灌封材料；以及

部署在密封换能器开口的灌封材料上的盖子。

8.根据权利要求7所述的器件，其中，

换能器被配置为接收声信号。

9.根据权利要求7所述的器件，其中，

盖子密封开口的整个顶面。

10.根据权利要求7所述的器件，其中，

盖子密封部分开口顶面。

11.根据权利要求7所述的器件，其中，

换能器开口是背面容积。

12.一种用于制造器件的方法，其包括：

在灌封材料中灌封换能器，换能器包括衬底；以及

在灌封材料中灌封换能器之后，刻蚀换能器的衬底以形成换能器开口。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括在灌封材料中灌封组件。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，

刻蚀换能器的衬底包括：

通过钻孔或通孔到灌封材料中，来暴露换能器的衬底；以及

刻蚀换能器的衬底。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，

刻蚀换能器的衬底包括：

暴露换能器的衬底；

研磨灌封材料；以及

刻蚀换能器的衬底。

16.根据权利要求12所述的方法，进一步包括用盖子密封换能器开口。

17.根据权利要求12所述的方法，进一步包括通过在灌封材料上放置壳体，来延伸换能器开口。

18.一种制造集成器件的方法，其包括：

形成包括灌封材料的重构晶片，重构晶片包括在灌封材料中灌封的MEMS器件和组件；

在重构晶片的第一主表面上形成重新分布层（RDL），RDL电连接MEMS器件和组件；

从重构晶片的第二主表面暴露MEMS器件的衬底；

刻蚀MEMS器件的衬底，从而形成开口；

在重构晶片的第二主表面上形成材料层，从而密封开口；以及

切单片重构晶片，从而形成集成器件。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，

形成材料包括在开口上选择性地形成盖子或帽。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，

形成材料层包括在重构晶片的整个第二主表面上形成盖子或帽。

21.根据权利要求18所述的方法，其中，

暴露衬底包括在重构晶片的第二主表面处在灌封材料中形成孔或通孔。

22.根据权利要求18所述的方法，其中，

暴露衬底包括在重构晶片的第二主表面处研磨灌封材料。

23.根据权利要求18所述的方法，其中，

MEMS器件包括硅膜和背板，并且其中开口是背面容积。