[发明专利]金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法

权利要求书

1.一种金氧半场效晶体管MOSFET的漏电位置检测方法，适用于对MOSFET的漏电位置进行定位，所述MOSFET包括衬底、所述衬底上设置有漏极、源极、栅极以及衬底电极；其特征在于，所述方法包括：

对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvd/sgt测试结构；所述Bvd/sgt测试结构中所述源极、所述栅极以及所述衬底电极共同接地；向所述漏极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述漏极的电流是否达到预设电流值，以获得第一检测结果；

对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvds/gt测试结构；所述Bvds/gt测试结构中所述栅极和所述衬底电极共同接地，所述漏极和所述源极短接；向所述漏极和所述源极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述漏极和所述源极的电流是否达到预设电流值，以获得第二检测结果；

对漏极、源极、栅极以及衬底电极进行电线连接，形成Bvt/sdg测试结构；所述Bvt/sdg测试结构中所述源极、所述栅极以及所述漏极共同接地；向所述衬底电极施加测试电压，在所述测试电压逐渐增大的过程，检测流经所述衬底电极的电流是否达到预设电流值，以获得第三检测结果；

根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位包括：

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流没有达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述栅极和所述漏极之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位包括：

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流没有达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流没有达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述栅极和所述源极之间。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位包括：

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流没有达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述源极和所述衬底电极之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位包括：

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述漏极和所述衬底电极之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位包括：

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流没有达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流没有达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述源极和所述漏极之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一检测结果、所述第二检测结果和所述第三检测结果，对所述MOSFET的漏电位置进行定位包括：

若所述第一检测结果为流经所述漏极的电流没有达到预设电流值，所述第二检测结果为流经所述漏极和所述源极的电流没有达到预设电流值，且所述第三检测结果为流经所述衬底电极的电流达到预设电流值，则获知漏电位置位于所述栅极和所述衬底电极之间。

8.根据权利要求1至7任一所述的方法，其特征在于，所述预设电流值为1μA。