[发明专利]硅太阳能电池正面电极及其主栅浆料的制备方法在审
申请号: | 201310343906.9 | 申请日: | 2013-08-06 |
公开(公告)号: | CN103441183A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 杨至灏;孟淑媛;奉向东;江志坚;唐元勋;安艳;陈娟 | 申请(专利权)人: | 浙江光达电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01B1/22;H01B13/00 |
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地址: | 325000 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 正面 电极 及其 浆料 制备 方法 | ||
1.硅太阳能电池正面电极制作方法,其特征在于它的制作方法为:1)采用分两次丝网印刷分别印制主栅和细栅的电极;2)在印制主栅和细栅电极时分别采用不同的含银浆料或银浆;3)主栅电极的厚度在烧结后小于细栅电极的厚度。
2.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于所述的主栅电极的厚度为5.5微米至13微米。
3.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于本发明正面电极主栅浆料的材料在烧结后可以与电池表面的钝化层材料(如氮化硅,氧化硅等)发生结合,提供优良的机械结合力,并且可以与焊带产生优异的焊接结合力。
4.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于所述的正面电极主栅浆料的材料在烧结后与焊带产生的焊接结合力在约2.0N/mm以上。
5.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于本发明在相同的烧结条件下,主栅电极与硅基材的接触电阻是细栅电极与硅基材的接触电阻的10-500倍以上。
6.硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于的组成和重量百分比为:细颗粒近球状银粉60wt%-75wt%、小粒径的片形银粉2.5wt%-10wt%、玻璃粉1wt%-3wt%、有机载体15wt%-40wt%。
7.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于所述细颗粒近球状银粉的粒径为0.5μm-2.5μm,振实密度为3.0-4.0g/m1;所述的小粒径的片形银粉的粒径为2.5~5μm,振实密度为2-3.5g/ml;所述的玻璃粉为PbO-B2O3-SiO2玻璃体系,软化温度在450到550度;所述的有机载体为高分子树脂和溶剂,其重量百分组成为高分子树脂2~4.0wt%,溶剂13~28wt%。
8.根据权利要求5所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于所述的高分子树脂为乙基纤维素、丙烯酸树脂中的一种或几种。
9.根据权利要求5所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于所述的溶剂为松油醇、丁基卡必醇酯中的一种或几种。
10.根据权利要求1所述的一种硅太阳能电池正电极主栅浆料的制备方法,其特征在于它制备工艺为:将各组分按配方配制好后,经搅拌混合后利用三辊研磨机充分研磨辊轧,达到一定的细度即可。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的