[发明专利]多层陶瓷电容器及其用于安装的板

说明书

相关申请的交叉引用

该申请要求于2013年4月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0044154的优先权，其所公开的内容通过引用被合并于此。

技术领域

本发明涉及多层陶瓷电容器及其用于安装的板

背景技术

多层陶瓷电容器、多层芯片（chip）电子组件是是安装在各种电子产品（例如：显示设备，如液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）等，和电脑、智能手机、移动电话等）的印制电流板上的片状（chip-shaped）电容器，用以在其中执行充电和放电。

因为这种多层陶瓷电容器（MLCC）具有诸如体积小、电容高、易安装等优势，所以这种多层陶瓷电容器可被用作各种电子设备中的组件。

多层陶瓷电容器可以具有一结构，在该结构中，多个电介质层和具有不同极性的内部电极交替堆叠（stack），内部电极被插入到电介质层之间。

尤其是，用于计算机等的中央处理器（CPU）的电源供给设备由于在提供低电平的过程期间负载电流中的快速改变而可能产生电压噪声。

此外，近年来，由于电源设备的效率已经非常重要，因此需要快速切换速度来减少效率的损失。

然而，当切换速度增加的时候，可能发生负面的消极现象，例如，电磁干扰（EMI）。

而且，当配置直流（DC）/DC转换器的场效应晶体管（FET）切换时，通过线路感应和FET的寄生电容而发生振铃现象从而在发射高频噪音的同时阻碍外围电路。

也就是说，通过线路感应和FET中的切换装置的电容等生成共振，并且由于高频功率而导致发生电磁干扰。

尤其是，因为诸如电源电路、无线电路、语音电路等模拟电路可能在小巧便携终端（诸如智能手机，平板电脑等）中被彼此邻近的提供，因此，生成的EMI可能阻碍通讯或降低声音质量。

通常，对于将C-R缓振器添加至FET中以解决上述问题的技术的研究已经进行。然而，在将C-R缓振器添加至FET的方法中，在切换的同时功率在C-Rnc缓振器中被部分消耗，从而DC/DC转换器的转换效率可能被降低。

因此，需要通过阻止DC/DC转换器转换效率降低的同时已知振铃现象来降低噪音的技术研究。

[相关技术文档]

日本专利公开No.JP2012-138415。

发明内容

本发明的以方面提供了多层陶瓷电容器及用于安装该多层陶瓷电容器的板。

根据本发明的一方，提供了一种多层陶瓷电容器，该多层陶瓷电容器包括：陶瓷体，该陶瓷体包括多个电介质层，并且具有彼此相对的第一主面和第二主面、彼此相对的第一侧面和第二侧面、彼此相对的第一端面和第二端面；第一电容器部件和第二电容器部件，该第一电容器部件包括暴露于第一端面的第一内部电极和暴露于第二端面并具有暴露于第一侧面的引出（lead-out）部分的第二内部电极，第二电容器部件包括暴露于第一端面的第三内部电极和具有暴露于第二侧面的引出部分的第四内部电极，第一电容器部件和第二电容器部件形成在陶瓷体内；内部连接导体，该内部连接导体形成在陶瓷体内并暴露于第一和第二侧面；以及，第一至第四外部电极，该第一至第四外部电极形成在陶瓷体的外表面上，并被电连接到第一至第四内部电极及内部连接导体，其中第一电容器部件具有比第二电容器部件更大的电容。

第一和第二外部电极可以被布置在陶瓷体的彼此相对的第一和第二端面上，并且第三和第四外部电极可以被布置在陶瓷体的彼此相对的第一和第二侧面上。

多层陶瓷电容器的等效串联电阻（ESR）可以在高频带中增加而不是在在低频带中。

内部连接导体可以通过第四外部电极而被连接至第四内部电极。

内部连接导体可以通过第三外部电极而被第二内部电极。

在陶瓷体的宽度方向上第三外部电极和第四外部电极彼此相间隔的距离可以是120-240μm。

多层陶瓷电容器的等效串联电阻（ESR）可由内部连接导体控制。