[发明专利]有机发光二极管显示面板有效
申请号: | 201310338903.6 | 申请日: | 2013-08-06 |
公开(公告)号: | CN104347663A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 黄俊杰 | 申请(专利权)人: | 业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 叶小勤 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示面板。
背景技术
有机发光二极管作为新兴的光源,是下一代显示器的发展方向。有机发光二极管面板是由多个像素组成的。如图1所示,每一个像素中均包含红绿蓝三个子像素,以产生彩色的图像。然而,当要求获得较高的像素密度(pixels per inch)时,子像素的排列则更为紧密,如此增加了现有的有机发光二极管显示面板制作上的负担。
发明内容
因此,有必要提供一种像素密度较高的有机发光二极管显示面板。
一种有机发光二极管显示面板,包括呈阵列排列若干第一像素及第二像素,每一第一像素包括平行、间隔设置的第一子像素、第二子像素及第三子像素,每一第二像素包括平行、间隔设置的第一子像素、第二子像素及第三子像素,同一行中的第一像素与第二像素按依次交错的方式排列,同一列中的第一像素与第二像素按依次交错的方式排列。
本发明通过将同一排相邻的第一像素和第二像素的同色的子像素相互靠近,可缩小相邻的第一像素和第二像素之间的间距,且在有机发光二极管显示面板的制作过程中不会增加负担;另外,可使两个同色的子像素一起蒸镀,如此开口更大,从而使有机发光二极管显示面板的像素密度得到提升。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1示出了现有的有机发光二极管显示面板的结构示意图。
图2为本发明一实施例的有机发光二极管显示面板的结构示意图。
主要元件符号说明
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图2,示出了发明第一实施例的有机发光二极管显示面板1。有机发光二极管显示面板1包括一基板10及形成于基板10上的像素阵列20。像素阵列20由若干第一像素21及第二像素22组成。每一第一像素21包括平行、间隔设置的一第一子像素211、一第二子像素212及一第三子像素213,每一第二像素22包括平行、间隔设置的一第一子像素221、一第二子像素222及一第三子像素223。本实施例中,第一像素21中的第一子像素211为一绿色子像素,第二子像素212为一蓝色子像素,第三子像素213为一红色子像素;第二像素22中的第一子像素221为一绿色子像素,第二子像素222为一蓝色子像素,第三子像素223为一红色子像素。
同一行中的第一像素21与第二像素22按依次交错的方式排列,且第一像素21的第一子像素211、第二子像素212及第三子像素213的排列顺序方式与第二像素22的第一子像素221、第二子像素222及第三子像素223的排列顺序方式相反。举例而言,图2中显示的一第一像素21中的子像素211、212、213从左到右依次是第三子像素213、第二子像素212及第一子像素211,其左侧相邻的一第二像素22中的子像素221、222、223从左到右依次是第一子像素221、第二子像素222及第三子像素223。由此,第一像素21和第二像素22中的二第三子像素213和223相互靠近。依此类推,第二像素22和左侧的第一像素21中的二第一子像素211和221相互靠近。
同一列中相邻的第一像素21与第二像素22按依次交错的方式排列。同一列中相邻的第一像素21与第二像素22中,第一像素21的第一子像素211与第二像素22的第三子像素223相邻设置,第一像素21的第三子像素213与第二像素22的第一子像素221相邻设置。举例而言,图2中显示的上侧的第一像素21中的子像素211、212、213从左到右依次是第三子像素213、第二子像素212及第一子像素211,下侧的第二像素22中的子像素221、222、223从左到右依次是第一子像素221、第二子像素222及第三子像素223。
本发明通过将相邻的第一像素21和第二像素22的两个同色的子像素相互靠近,可缩小第一像素21和第二像素22之间的间距,且在有机发光二极管显示面板的制作过程中不会增加负担;另外,可使两个同色的子像素一起蒸镀,如此开口更大,从而使有机发光二极管显示面板的像素密度得到提升。
本发明的技术内容及技术特点已揭露如上,然而本领域技术人员仍可能基于本发明的教示及揭示而作出种种不背离本发明精神的替换及修饰。因此,本发明的保护范围应不限于实施例所揭示的内容,而应包括各种不背离本发明的替换及修饰,并为所附的权利要求所涵盖。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司,未经业鑫科技顾问股份有限公司;新光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310338903.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:ITO的完整蚀刻方法及LED芯片制作方法
- 下一篇:能够测量水硬度的洗衣机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的