[发明专利]OGS触摸屏的制作方法

权利要求书

1.一种OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案，所述第一黑矩阵图案位于预设的OGS触摸屏的非可视区域上，所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘的距离为0.2～0.8mm，所述第一黑矩阵图案的内周缘与所述预设的OGS触摸屏的可视区域的外周缘相接；

在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层，并对表面形成有ITO导电图案层的玻璃基板依次进行切割及磨边处理，得到预设的OGS触摸屏中间产品；

对所述中间产品进行二次强化处理；

在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案，即得到所述OGS触摸屏，其中，所述第一黑矩阵图案与所述第二黑矩阵图案的颜色相同。

2.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括对所述玻璃基板进行清洗及质检的步骤。

3.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案的过程中，包括如下步骤：在玻璃基板表面上涂布负型光阻，得到覆盖所述玻璃基板表面的负型光阻层，并对所述负型光阻层依次进行曝光处理、显影处理及固烤处理，得到所述第一黑矩阵图案；

其中，所述负型光阻的粘度为2.6～5.8cP，所述负型光阻层的厚度为0.7～2.0μm，曝光能量为150～250mJ/cm²，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为150～200μm，曝光时间为6～8.5s。

4.根据权利要求3所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述显影处理中，采用质量分数为0.05%的KOH溶液进行显影处理；在所述固烤处理过程中，固烤温度为250℃，固烤时间为30min。

5.根据权利要求3所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在经二次强化处理后的中间产品的所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成第二黑矩阵图案的过程中，包括如下步骤：采用丝网印刷的方式将所述负型光阻印刷于所述第一黑矩阵图案的外周缘与所述预设的OGS触摸屏的边缘之间形成所述第二黑矩阵图案，其中，网版为280～400目的聚酯网，刮刀硬度为75°、角度为45°，印刷速度为1.5～2.5M/S，网矩为2.0～3.0mm。

6.根据权利要求3-5中任一项所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，所述负型光阻的颜色为黑色、蓝色、粉色或咖啡色。

7.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO导电图案层的过程中，包括如下步骤：采用真空磁控溅射6靶相连的溅射方法在形成有第一黑矩阵图案的玻璃基板表面形成ITO层，对所述ITO层依次进行黄光制程、显影处理、固烤处理、蚀刻处理以及光阻剥离，得到所述ITO导电图案层。

8.根据权利要求7所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在所述真空磁控溅射过程中，真空腔内的温度为320℃、溅射速度为1.0～1.2m/s；

在所述黄光制程中，在所述ITO层上涂布正型光阻，得到覆盖所述ITO层的正型光阻层，所述正型光阻的粘度为3.6～5.8cP，所述正型光阻层的厚度为0.7～2.0μm；

在所述显影处理过程中，曝光能量为40～80mJ/cm²，曝光波长为360～480nm，曝光间隙为200μm，曝光时间为6～8.5s；

在所述固烤处理过程中，预烤温度为100℃，预烤时间为200s，固烤温度为240℃，固烤时间为30min；

在所述蚀刻处理过程中，采用王水进行蚀刻处理；

在所述光阻剥离过程中，采用质量分数为0.05%的KOH溶液进行光阻剥离。

9.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在对所述中间产品进行二次强化处理的过程中，包括如下步骤：在32℃条件下，将所述中间产品浸泡于浓度为5～6.9mol/L的HF水溶液中8～10min。

10.根据权利要求1所述的OGS触摸屏的制作方法，其特征在于，在玻璃基板表面形成第一黑矩阵图案之前，还包括在所述玻璃基板表面形成通孔部的步骤，所述通孔部位于所述预设的OGS触摸屏的非可视区域上；形成于玻璃基板表面的第一黑矩阵图案间隔环绕所述通孔部，且所述第一黑矩阵图案与所述通孔部之间的间隔距离为0.2～0.8mm。