[发明专利]进气装置及反应腔室

说明书

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，特别是一种进气装置及反应腔室。

背景技术

化学气相沉积例如有机金属化学气相沉积（MOCVD）工艺的基本生长过程是，将反应气体从气源通过进气装置引入反应腔室，利用以加热器加热的衬底引发化学反应，从而在基片上生成单晶或多晶薄膜。

现有技术的进气装置请参考图1，包括多层气体腔室1，例如包括三个，或者其他数量，还包括冷却腔室2，每个气体腔室皆设置有气体通道3，用于将反应气体从气体腔室1中运输到下方的反应区域（未图示），具体的，每个气体腔室1皆位于所述冷却腔室2上方，且气体通道3也贯穿所述冷却腔室2，所述冷却腔室2用于对整个进气装置以及气体腔室1进行冷却，使得进气装置的朝向托盘和衬底（未图示）一侧的表面（即下表面）的温度维持在较低的水平，以尽可能地减少反应气体的预分解。

然而在进行MOCVD工艺过程中，托盘和衬底的温度较高，而进气装置的温度较低，这容易造成托盘与进气装置之间的反应区域的气体场的分布不均匀（高温的反应气体向进气装置扩散，低温的反应气体向托盘扩散），容易在进气装置表面发生预反应，由于进气装置的表面温度低，在进气装置表面形成的颗粒疏松，如果进气装置表面的颗粒脱落，可能造成衬底表面形成的外延材料层的颗粒污染，影响良率。并且现有技术由于进气装置的温度较低，其表面的颗粒沾污问题尤为严重。

因此，目前的进气装置并不合理，需要对其进行改善。

发明内容

本发明的目的在于提供一种进气装置及反应腔室，以解决现有技术中的进气装置的表面形成的颗粒容易脱落而对衬底产生污染的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种进气装置，用于向反应区域提供反应气体，其中，所述进气装置包括堆叠设置的主体和可移除层，所述主体至少包括第一气体腔室，所述主体和该主体下方的可移除层之间的区域构成第二气体腔室；所述可移除层与所述主体之间通过定位配合装置可拆卸连接，所述定位配合装置用于确定所述可移除层与主体之间的相对位置关系，并且将定位配合装置的固定件与所述主体锁定；所述第一气体腔室和第二气体腔室皆具有气体通道，以向所述可移除层下方的反应区域提供反应气体。

相应的，本发明提供一种反应腔室，包括：腔体、用于装载衬底的托盘和进气装置，所述托盘设置于所述腔体的底部，所述进气装置设置在所述腔体的顶部并与所述托盘相对设置，所述托盘与所述进气装置之间限定气体反应区域，所述进气装置用于向所述反应区域输出反应气体，所述进气装置为如上所述的进气装置。

本发明提供的进气装置及反应腔室，所述进气装置包括主体和可移除层，所述可移除层与所述主体之间通过定位配合装置可拆卸连接。那么当经过一段时间后，便可以将所述可移除层拆卸以进行清洗或者替换新的可移除层，从而能够有效的降低进气装置表面的颗粒脱落的几率，减少对产品的污染，提高成膜质量。

附图说明

图1为现有技术的进气装置的结构示意图；

图2为本发明一实施例的进气装置的结构示意图；

图3为本发明一实施例的进气装置仰视图的一部分。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的进气装置及反应腔室进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。