[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件可以包括：柱体；以及多个导电层，所述多个导电层被层叠同时包围所述柱体，且包括多个第一区和多个第二区，所述第一区包括非导电材料层，所述第二区包括导电材料层，其中所述第一区和所述第二区交替布置。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年3月26日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2013-0032372的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

各种实施例一般地涉及一种电子器件，且更具体而言，涉及一种三维半导体器件及其制造方法。

背景技术

非易失性存储器件即使在中断电源或阻断电源时也可以保持数据。近来，随着被配置成将存储器单元以单层制造在硅衬底上的二维存储器件的集成度提高达到极限，提出了具有存储器单元垂直层叠在硅衬底之上的三维结构的非易失性存储器件。

三维非易失性存储器件包括：交替层叠的层间绝缘层和字线，以及穿通所述层间绝缘层和字线的沟道层。存储器单元沿着所述沟道层而层叠。另外，当制造三维非易失性存储器件时，交替层叠多个氧化物层和多个氮化物层并且所述多个氮化物层被多个导电层代替，以形成层叠字线。

然而，在利用多个导电层代替多个氮化物层的工艺中存在困难。具体来说，在利用导电层代替氮化物层的工艺中，氮化物层周围的层可能受到损伤。结果，存储器件的特性可能会恶化。

发明内容

各种实施例涉及半导体器件。

根据本发明一个实施例，一种半导体器件可以包括：柱体；以及多个导电层，所述多个导电层被层叠同时包围所述柱体，且具有多个第一区和多个第二区，所述第一区包括非导电材料层，所述第二区包括导电材料层，其中所述第一区和所述第二区交替布置。

根据一个实施例，一种半导体器件可以包括：柱体；所述柱体之间的第一缝隙；以及多个导电图案，所述多个导电图案被层叠同时包围所述柱体，所述导电图案通过所述第一缝隙而被图案化，其中所述导电图案具有包括非导电材料层的中心区和包括导电材料的侧部区。

根据一个实施例，一种半导体器件可以包括：柱体；以及多个导电层，所述多个导电层被层叠同时包围所述柱体，且具有多个第一区和多个第二区，所述第一区包括气隙，所述第二区包括导电材料层，其中所述第一区和所述第二区交替布置。

根据一个实施例，一种半导体器件可以包括：柱体；以及多个导电层，所述多个导电层被层叠同时包围所述柱体，且具有多个第一区和多个第二区，所述第一区包括阻挡层，所述第二区包括金属层，其中所述第一区和所述第二区交替布置。

根据一个实施例，一种半导体器件可以包括：柱体；以及多个导电层，所述多个导电层包括多个第一区和多个第二区，所述第一区具有第一导电材料层，所述第二区具有第二和第三导电材料层，其中所述第一区和所述第二区交替布置，且其中所述第一导电材料层完全填充所述第一区且包括阻挡层。

根据本发明一个实施例，一种半导体器件可以包括：管；以及多个导电层，所述多个导电层具有多个第一区和多个第二区，所述第一区包括非导电材料层，所述第二区包括导电材料层，其中所述第一区和所述第二区交替布置。

附图说明

图1A和图1B是示出根据一个实施例的导电层的布局图；

图1C至图1G是示出根据一个实施例的导电图案的立体图；

图2A和图2B示出根据一个实施例的半导体器件的结构；

图3A至3G是示出根据一个实施例的制造半导体器件的方法的工艺流程图；

图4A至4C是示出根据一个实施例的制造半导体器件的方法的工艺流程图；

图5A至5C示出根据一个实施例的制造半导体器件的方法；