[发明专利]发光二极管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种光萃取效率高的发光二极管及相应的发光二极管的制造方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是一种可将电流转换成特定波长范围的光电半导体组件。发光二极管以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域。

传统的发光二极管包括一基板、依次生长在基板上的N型氮化镓层、有源层及P型氮化镓层，二电极分别形成在P型氮化镓层及N型氮化镓层上。有源层发出的部分光线穿过P型氮化镓层而向外出射，另一部分光线，如朝向基板的光线在发光二极管内部损耗，如此，便降低了发光二极管的光萃取效率。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种具有良好的光萃取效率的发光二极管及其制造方法。

一种发光二极管，包括基板及形成于所述基板上的一半导体结构，所述半导体结构内形成有呈矩阵设置的多个第一通孔及第二通孔，所述第一通孔与第二通孔为接触重迭但交错的排列。

一种发光二极管的制造方法，包括如下步骤：

提供所述基板及多个第一碳纳米管及第二碳纳米管，将多个第一碳纳米管及第二碳纳米管间隔的平铺于该基板表面，其中，所述第一碳纳米管与所述第二碳纳米管为接触重迭且交错的排列；

于第一碳纳米管及第二碳纳米管上形成半导体结构，所述半导体结构自所述第一碳纳米管及第二碳纳米管之间的间隙以侧向成长方式并将第一碳纳米管及第二碳纳米管包覆直至所述半导体结构的表面平坦；

利用激光辐射所述半导体结构，使其内部的第一碳纳米管及第二碳纳米管转化成二氧化碳气体溢出，从而形成分别形成第一通孔及第二通孔。

与现有技术相比，本发明中所述第一通孔及第二通孔与半导体之间的折射率差异使到半导体结构内设置有第一通孔及第二通孔区域内的光线易发生反射，从而使所述半导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界处具有光反射功能，当半导体结构产生的光线发射方向为朝向基板时，这些光线遇到导体结构位于第一通孔及第二通孔的边界后，因空气与半导体结构的材料之间的折射系数差异而使光线朝向背离基板折射并继而出射，从而提高发光二极管的光萃取效率。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1是本发明较佳实施例的发光二极管的立体结构示意图。

图2至图3为图1所述发光二极管制造过程中所得发光二极管半成品的结构示意图。

主要元件符号说明