[发明专利]发光二极管结构

说明书

本发明提供了一种发光二极管结构，包括基板、半导体外延层以及反射导电结构层。半导体外延层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体外延层以及被半导体外延层所暴露出的基板的部分。

技术领域

本发明是有关于一种半导体结构，且特别是有关于一种发光二极管结构。

背景技术

一般而言，制作发光二极管晶圆时，通常是先提供基板，利用外延成长方式，于基板上形成外延结构，接着在外延结构上配置电极以提供电能，便可利用光电效应而发光。之后，利用微影蚀刻技术在外延结构中形成多个纵横交错的切割道。其中，每相邻的二纵向的切割道与相邻的二横向的切割道共同定义出发光二极管晶粒。之后，进行后段的研磨与切割制程，将发光二极管晶圆分成许多的发光二极管晶粒，进而完成发光二极管的制作。

为了增加发光二极管的出光效率，现有技术会在外延结构上依序增设欧姆接触层、反射层以及阻障层，其中欧姆接触层、反射层以及阻障层都只覆盖于部分外延结构上。虽然上述的方式可增加发光二极管的出光效率，但其出光效率无法满足现今追求高出光效率的要求。因此，如何充分提高发光二极管的出光效率仍然是亟待克服的问题。

发明内容

本发明提供一种发光二极管结构，其具有良好的出光效率(light-emittingefficiency)。

本发明的发光二极管结构，其包括基板、半导体外延层以及反射导电结构层。半导体外延层配置于基板上，且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体外延层以及被半导体外延层所暴露出的基板的部分。

在本发明的一实施例中，上述的半导体外延层包括依序配置于基板上的第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层。

在本发明的一实施例中，上述的反射导电结构层包括依序配置的透明导电层、反射层以及阻障层。

在本发明的一实施例中，上述的阻障层的边缘切齐于基板的边缘。

在本发明的一实施例中，上述的基板具有上表面以及连接上表面的环状倾斜面，而阻障层从上表面延伸覆盖于环状倾斜面上。

在本发明的一实施例中，上述的基板具有上表面以及连接上表面的环状倾斜面。透明导电层、反射层以及阻障层从上表面延伸覆盖于环状倾斜面上。透明导电层的边缘、反射层的边缘以及阻障层的边缘切齐于基板的边缘。

在本发明的一实施例中，上述的基板具有上表面以及连接上表面的环状倾斜面。透明导电层、反射层以及阻障层从上表面延伸覆盖于环状倾斜面上且收敛至同一位置。

在本发明的一实施例中，上述的透明导电层的材料选自铟锡氧化物、掺铝氧化锌、铟锌氧化物及上述此等所组成的族群其中之一。

在本发明的一实施例中，上述的反射层的材料选自银、铬、镍、铝及上述此等所组成的族群其中之一。

在本发明的一实施例中，上述的反射层为布拉格反射镜。

在本发明的一实施例中，上述的阻障层的材料选自钛钨合金、钛、钨、氮化钛、钽、铬、铬铜合金、氮化钽及上述此等所组成的族群其中之一。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括绝缘层。绝缘层配置于基板与反射导电结构层之间以及半导体外延层与反射导电结构层之间。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括第一电极、第二电极以及连接层。半导体外延层具有一凹陷区域，且凹陷区域将半导体外延层区分为第一半导体区块与第二半导体区块。第一电极配置于第一半导体区块上。第二电极配置于第二半导体区块上。连接层配置于凹陷区域内且电性连接第一电极与半导体外延层。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括电性绝缘层。电性绝缘层至少配置于第一电极与反射导电结构层之间以及连接层与反射导电结构层之间。