[发明专利]基于调制掺杂的GaN肖特基二极管有效
| 申请号： | 201310328121.4 | 申请日： | 2013-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN103400866A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;冯志红;房玉龙;邢东;王俊龙;张立森;杨大宝 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 陆林生 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 调制 掺杂 gan 肖特基 二极管 | ||
1.一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的半绝缘的衬底层（101）、在所述衬底层（101）上生长的高掺杂的N+型GaN层（102），以及在所述N+型GaN层（102）上采用调制掺杂生长的N-型GaN层（103），N-型GaN层（103）的掺杂浓度从N+型GaN层（102）的界面处开始为非均匀分布；在所述的N+型GaN层（102）上生长欧姆接触电极（104）；在所述的N-型GaN层（103）上生长有肖特基接触电极（105）。
2.根据权利要求1所述的基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于所述N-型GaN层（103）的掺杂浓度的变化方式为自上而下递增、自上而下递减、指数分布或者高斯分布。
3.根据权利要求1或2所述的基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于所述N-型GaN层（103）的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度在1016/cm3量级到1018/cm3量级之间。
4.根据权利要求1所述的基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于所述衬底层（101）包括蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底。
5.根据权利要求1所述的基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，其特征在于所述N+型GaN层（102）的掺杂元素为Ⅳ族元素，掺杂浓度为1016cm-3到1019cm-3。
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