[发明专利]半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201310323523.5 | 申请日： | 2013-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN104347372A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘良;柳会雄;高学;乔仁明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
提供基底，所述基底包含第一器件区以及第二器件区，所述第一器件区至少具有两个第一器件栅极，所述第二器件区具有第二器件多晶硅层；
采用炉管沉积工艺在所述基底上制备一阻挡层；
选择性刻蚀所述阻挡层和所述第二器件多晶硅层，以形成第二器件栅极。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述采用炉管沉积工艺在所述基底上制备一阻挡层的步骤和所述选择性刻蚀所述阻挡层和所述第二器件多晶硅层的步骤之间，还包括：在所述阻挡层上沉积一掩膜层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺在所述阻挡层上沉积所述掩膜层。
4.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述掩膜层包括自下至上层叠的一抗反射层和一硬质掩膜层。
5.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述抗反射层的材料为氮氧化硅，所述硬质掩膜层的材料为二氧化硅。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料为二氧化硅或氮氧化硅中的一种或组合。
7.如权利要求1-5中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述炉管沉积工艺的温度为600℃～1300℃。
8.如权利要求1-5中任意一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为
9.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一器件区为非易失存储器件区。
10.如权利要求9所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一器件栅极包括浮栅以及控制栅，所述浮栅与所述控制栅之间通过一ONO介质层相隔离。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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