[发明专利]一种PIN光电探测器芯片

权利要求书

1.一种光接收应用的PIN光电探测器芯片，包括外延片与其背面形成欧姆接触的n电极（1），所述的外延片自n型InP半导体衬底（2）上连续生长：一n型InP缓冲层（3）；一i型InGaAs吸收层（4）；一n型InP过渡层（5）；一n型至少三元以上的Ⅲ-Ⅴ族顶层（6），其特征在于，所述n型InP过渡层（5）中心设有一掺杂光敏区（51）和一掺杂保护环（52）；位于所述n型InP过渡层（5）上表面依序设有一钝化膜层（7）及一增透过渡薄膜层（8）；该增透过渡薄膜层（8）的部分表面设有一p型电极金属层（9）；另一部分设有一绝缘层（10）；该绝缘层表面设有一金属遮光层（11）；一增透薄膜层（12）设于所述金属遮光层（11）、绝缘层（10）和掺杂光敏区（51）上表面。

2.根据权利要求1所述的PIN光电探测器芯片，其持征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族顶层（6）为n型InGaAs顶层。

3.根据权利要求1所述的PIN光电探测器芯片，其持征在于，所述Ⅲ-Ⅴ族顶层（6）为n型InGaAsP顶层。

4.根据权利要求2或3所述的PIN光电探测器芯片，其持征在于，所述掺杂光敏区（51）边界与掺杂保护环（52）边界相距L1，其取值范围3μm＜L1＜30μm；所述掺杂保护环（52）宽度L2，其取值范围2μm＜L2＜20μm。

5.根据权利要求4所述的PIN光电探测器芯片，其持征在于，所述掺杂光敏区（51）和掺杂保护环（52）为Zn掺杂。

6.根据权利要求4所述的PIN光电探测器芯片，其持征在于，所述掺杂光敏区（51）和掺杂保护环（52）为Ge掺杂。

7.根据权利要求4所述的PIN光电探测器芯片，其持征在于，所述掺杂光敏区（51）和掺杂保护环（52）为InAlAs。