[发明专利]闪存存储单元的形成方法

权利要求书

1.一种闪存存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供若干批次半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，所述衬底具有若干平行排列的浮栅区，相邻浮栅区之间具有隔离区，所述衬底的浮栅区表面具有隧穿氧化层、以及位于隧穿氧化层表面的浮栅层，所述衬底的隔离区内具有隔离结构，所述隔离结构的表面等于或高于浮栅层表面，所述隔离结构具有相邻的第一区域和第二区域；

依次刻蚀若干批次半导体结构的隔离结构的第二区域，使隔离结构的第二区域表面低于第一区域表面，其中，每一待刻蚀批次的刻蚀时间的确定方法包括：测试待刻蚀批次前一批次的隔离结构刻蚀速率，测试待刻蚀批次在刻蚀之前的隔离结构的厚度，通过待刻蚀批次前一批次的隔离结构刻蚀速率、以及待刻蚀批次在刻蚀之前的隔离结构的厚度获得待刻蚀批次的刻蚀时间；

在刻蚀若干批次半导体结构的隔离结构的第二区域之后，在浮栅层和隔离结构表面形成牺牲层，所述牺牲层具有第一开口，所述第一开口暴露出部分浮栅层以及第一区域的隔离结构表面。

2.如权利要求1所述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，所述每一待刻蚀批次的刻蚀时间的确定方法为：

测试待刻蚀批次在刻蚀之前的隔离结构第二区域的厚度，获取隔离结构第一厚度T_n；

测试待刻蚀批次前一批次的隔离结构刻蚀速率，获取隔离结构第一刻蚀速率γ_n-1；

采用隔离结构第一厚度T_n和隔离结构第一刻蚀速率γ_n-1获取待刻蚀批次的刻蚀时间t_n=(T_n-T_target)/γ_n-1，其中，T_target为待刻蚀批次的隔离结构第二区域刻蚀后的预设厚度。

3.如权利要求2所述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，测试所述待刻蚀批次前一批次的刻蚀速率的方法为：

测试待刻蚀批次前一批次的隔离结构刻蚀之前的厚度，获取隔离结构第二厚度T_n-1；

测试待刻蚀批次前一批次的隔离结构刻蚀之后的厚度，获取隔离结构第三厚度T_tn-1；

采用隔离结构第二厚度T_n-1和隔离结构第三厚度T_tn-1获取待刻蚀批次前一批次的刻蚀速率γ_n-1=(T_n-1-T_tn-1)/t_n-1，其中，所述t_n-1为待刻蚀批次刻蚀隔离结构的时间。

4.如权利要求1所述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，还包括：

在第一开口的侧壁表面形成第一侧墙；

以第一侧墙和牺牲层为掩膜刻蚀浮栅层和隧穿氧化层直至暴露出衬底为止，形成第二开口，并在第二开口的侧壁表面形成第二侧墙；

在形成第二侧墙之后，在第一开口和第二开口内形成源线层；

在形成源线层之后，去除牺牲层并以第一侧墙和源线层刻蚀浮栅层直至暴露出隧穿氧化层；

在以第一侧墙和源线层刻蚀浮栅层之后，在第一侧墙、源线层和浮栅层两侧形成字线层，所述字线层与浮栅层之间通过绝缘层电隔离。

5.如权利要求4所述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，所述字线层的形成工艺为：在刻蚀所述浮栅层之后，采用热氧化工艺在浮栅层暴露出的侧壁表面和源线层表面形成绝缘层；在形成绝缘层之后，沉积形成字线薄膜，所述字线薄膜覆盖衬底、浮栅层、第一侧墙和源线层表面；回刻蚀所述字线薄膜，去除源线层和衬底表面的字线薄膜，形成字线层。

6.如权利要求5所述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，还包括：在形成字线层之前，以第一侧墙和源线层刻蚀浮栅层和隧穿氧化层直至暴露出衬底为止，所述热氧化工艺还在衬底表面形成绝缘层。

7.如权利要求4述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，在形成字线层之后，在源线层、字线层和浮栅层两侧的衬底内形成漏区。

8.如权利要求4所述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，在形成源线层之前，在第二开口底部的衬底内形成源区。