[发明专利]闪存存储单元的形成方法

权利要求书

1.一种闪存存储单元的形成方法，其特征在于，包括：

提供若干批次的半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底表面的隧穿氧化层、位于隧穿氧化层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的牺牲层、以及位于所述牺牲层表面的掩膜层，所述掩膜层暴露出部分牺牲层表面；

以所述掩膜层为掩膜，采用各向异性的干法刻蚀工艺依次刻蚀各批次的牺牲层和部分浮栅层，在各批次的牺牲层和浮栅层内形成第一开口，其中，每一待刻蚀批次的刻蚀时间的确定方法包括：测试待刻蚀批次前一批次的牺牲层厚度，测试待刻蚀批次前一批次的浮栅层刻蚀厚度，测试待刻蚀批次的牺牲层厚度，通过待刻蚀批次前一批次的牺牲层厚度、待刻蚀批次前一批次的浮栅层刻蚀厚度、以及待刻蚀批次的牺牲层厚度获得待刻蚀批次的刻蚀时间；

在所述各向异性的干法刻蚀工艺之后，采用各向同性的刻蚀工艺刻蚀第一开口的侧壁和底部表面，使第一开口侧壁的牺牲层和浮栅层表面相对于第一开口底部的浮栅层表面倾斜，且第一开口顶部的尺寸大于第一开口底部的尺寸。

2.如权利要求1所述的闪存存储单元的形成方法，其特征在于，所述每一待刻蚀批次的刻蚀时间的确定方法包括：

测试待刻蚀批次的前一批次的牺牲层厚度，获得牺牲层第一厚度T_Sn；

测试待刻蚀批次的前一批次的浮栅层刻蚀厚度，获得浮栅层第一刻蚀厚度T_Pn；

测试待刻蚀批次的牺牲层厚度，获得牺牲层第二厚度T_Sn+1；

采用牺牲层第一厚度T_Sn、浮栅层第一厚度T_Pn和牺牲层第二厚度T_Sn+1，获取待刻蚀批次的刻蚀时间t_n+1=t_n*[1+(T_Sn+1-T_Sn+γ*△T_P)/(T_Sn+γT_Pn)]，其中，t_n为待刻蚀批次的前一批次的牺牲层和浮栅层的实际刻蚀时间，γ为牺牲层的刻蚀速率与浮栅层的刻蚀速率选择比，△T_P为待刻蚀批次的浮栅层预设刻蚀厚度T_P与浮栅层第一厚度T_Pn的差，即△T_P=T_P-T_Pn。