[发明专利]一种原子层沉积设备

权利要求书

1.一种原子层沉积设备，包括反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括多个子腔室和驱动单元，其中

在所述反应腔室内的同一水平面上设置有多个工艺位，所述多个工艺位沿所述反应腔室的周向间隔设置，且按工序的先后顺序依次均匀排列；

所述子腔室的数量和位置与所述工艺位的数量和位置一一对应，并且每个所述子腔室用于对置于其内的基片完成单次工艺中的其中一个工序；

所述驱动单元用于实现使每个所述基片按工序的先后顺序被依次置于各个所述工艺位所在位置处的子腔室内完成相应工序；

所述反应腔室包括设置在其内部的基盘；所述驱动单元包括旋转驱动机构；

所述旋转驱动机构用于驱动基盘旋转，以使每个所述基片自当前工序所在的工艺位移动至下一工序所在的工艺位。

2.根据权利要求1所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述反应腔室还包括分别设置在其内部的上盖、进气管和排气通道，其中

所述上盖设置在所述基盘的上方，并且所述上盖的数量和位置与所述工艺位的数量和位置一一对应；

所述驱动单元还包括升降驱动机构，其中：

所述升降驱动机构用于驱动所有所述上盖或者所述基盘作升降运动，以使所述上盖的下端与所述基盘的上表面相互接触或分离，并且，每个所述上盖的下端与所述基盘的上表面在相互接触时，每个所述上盖和所述基盘上与该上盖相对应的部分形成封闭的所述子腔室；

所述进气管的数量和位置与所述工艺位的数量和位置一一对应，并且每个所述进气管用于向与之一一对应的所述工艺位所在的子腔室的内部输送工艺气体；

所述排气通道的数量和位置与所述子腔室的数量和位置一一对应，每个所述排气通道用于将与之一一对应的所述子腔室内的工艺气体排出所述反应腔室。

3.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述升降驱动机构驱动所有所述上盖上升至使所述上盖的下端与所述基盘的上表面相互分离的第一位置，或者下降至使所述上盖的下端与所述基盘的上表面相互接触的第二位置；

在每个所述上盖的内部固定有用于承载所述基片的托架，并在所述基盘的上表面上，且与各个托架相对应的位置处设置有可容纳所述托架的凹部；并且

当所述升降驱动机构驱动所有所述上盖下降至所述第二位置时，每个所述托架位于相应的所述凹部内，以使由所述托架承载的基片置于所述基盘的上表面上；当所述升降驱动机构驱动所有所述上盖上升至所述第一位置时，所述托架托起所述基片，并位于所述基盘的上方；

所述旋转驱动机构在所述上盖上升至所述第一位置时，驱动所有所述上盖旋转，并带动所有所述托架沿所述基盘的周向旋转，以使每个置于所述托架上的所述基片自当前工序所在的工艺位移动至下一工序所在的工艺位；

每个所述进气管设置在所述基盘内，并且每个所述进气管的出气口延伸至所述基盘上表面，且位于相应的所述子腔室内的未承载基片的位置；

每个所述排气通道的一端设置在所述基盘上表面上，且位于相应的所述子腔室内的未承载基片的位置，每个所述排气通道的另一端延伸至所述反应腔室之外。

4.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，所述升降驱动机构驱动所述基盘下降至使所述上盖的下端与所述基盘的上表面相互分离的第一位置，或者上升至使所述上盖的下端与所述基盘的上表面相互接触的第二位置；

所述旋转驱动机构在所述基盘下降至所述第一位置时，驱动所述基盘旋转，并带动置于所述基盘上的所有所述基片沿所述基盘的周向旋转，以使每个所述基片自当前工序所在的工艺位移动至下一工序所在的工艺位；

每个所述进气管设置在所述上盖内，并且每个所述进气管的出气口延伸至所述上盖的内表面；

每个所述排气通道的一端设置在所述上盖的内表面上，每个所述排气通道的另一端延伸至所述反应腔室之外。

5.根据权利要求2所述的原子层沉积设备，其特征在于，在每个所述上盖的下端和/或所述基盘的上表面设置有密封件，用以在所述上盖的下端与所述基盘的上表面相互接触时对二者之间的间隙进行密封。