[发明专利]电连接件及其形成方法有效
| 申请号: | 201310300897.5 | 申请日: | 2013-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN104037091B | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
| 发明(设计)人: | 王俊杰;郭宏瑞;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 连接 及其 形成 方法 | ||
1.一种形成电连接件的方法,包括:
在凸块下金属(UBM)层上方涂覆光刻胶;
曝光所述光刻胶,其中在所述曝光步骤中,到达所述光刻胶的底部的光量小于到达所述光刻胶的顶面的光量的5%;
显影所述光刻胶以在所述光刻胶中形成开口,其中通过所述开口暴露所述凸块下金属层的一部分,并且其中,通过选择用于曝光所述光刻胶的波长,使得所述开口的底部横向尺寸大于顶部横向尺寸;以及
在所述开口中形成电连接件,所述电连接件是不可回流的,所述电连接件的侧壁的底部相对于所述凸块下金属层的顶面具有倾斜角度,所述倾斜角度小于45度。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述光刻胶是负性光刻胶,并且在显影所述光刻胶的步骤中,去除所述光刻胶的未曝光部分。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述曝光步骤中,到达所述光刻胶的底部的光量在到达所述光刻胶的顶面的光量的0.5%和5%之间。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述曝光步骤中,到达所述光刻胶的底部的光量小于到达所述光刻胶的顶面的光量的2%。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:
在形成所述电连接件的步骤之后,去除所述光刻胶;以及
在去除所述光刻胶的步骤之后,去除暴露的所述凸块下金属层的部分。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述底部横向尺寸和所述顶部横向尺寸之间的差值大于4μm。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,底部尺寸和顶部尺寸具有差值,金属凸块具有高度,其中所述差值的一半与所述高度的比值大于0.06。
8.一种形成电连接件的方法,包括:
在凸块下金属(UBM)层的上方涂覆光刻胶;
使用光刻掩模曝光所述光刻胶,其中,在所述曝光步骤之后,到达所述光刻胶的底部的光强度小于所述光刻胶的顶面接收的光强度的5%;
显影所述光刻胶以去除所述光刻胶的未曝光部分从而在所述光刻胶中形成开口,其中所述光刻胶包括感光化合物(PAC),并且在所述显影步骤之后保留所述光刻胶的曝光部分;
在所述开口中镀电连接件,其中,通过选择用于曝光所述光刻胶的波长,使得所述电连接件的底部横向尺寸大于顶部横向尺寸,所述电连接件的侧壁的底部相对于所述凸块下金属层的顶面具有倾斜角度,所述倾斜角度小于45度;
在镀步骤之后,去除所述光刻胶;以及
在去除所述光刻胶的步骤之后,去除暴露的所述凸块下金属层的部分。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述底部横向尺寸和所述顶部横向尺寸之间的差值大于4μm。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述电连接件具有高度,并且所述差值的一半与所述高度的比值大于0.06。
11.根据权利要求8所述的方法,其中,所述电连接件包括非焊料材料,并且所述方法进一步包括将包含所述电连接件的晶圆切割为分离的管芯,并且在所述切割步骤之后,所述电连接件的底部横向尺寸仍大于所述顶部横向尺寸。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述感光化合物的重量百分比小于1%。
13.根据权利要求8所述的方法,其中,所述电连接件包括焊料层,并且所述方法进一步包括回流所述焊料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





