[发明专利]基于玻璃基板的LED器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种LED器件，尤其是一种采用玻璃基板的LED器件及其制备方法，属于照明技术领域。

背景技术

LED作为一种固态半导体照明技术，实现照明的过程必须通过LED芯片固定在线路板上实现。LED线路板的材料目前均为金属基（铝、铜等）、树脂基（FR4、PI等）、陶瓷基（氧化铝、氮化铝等），这些材料大多因为其绝缘性能良好和导热性良好而被用作以用途。目前还未有LED线路板采用玻璃基板，原因是玻璃基板导热性较差、耐热性较差以及无法直接在玻璃基板上完成线路板工艺。而且一旦玻璃基板过热，还有裂开的风险。

发明内容

本发明的目的在于解决上述的技术问题，提供一种基于玻璃基板的LED器件及其制备方法。

本发明的目的通过以下技术方案来实现：

一种基于玻璃基板的LED器件，包括玻璃基板，通过气相沉积技术制备于所述玻璃基板上的DLC涂层，所述DLC涂层的上方设有LED芯片和电极，所述LED芯片和电极之间通过导线电性导通。

优选的，所述DLC涂层厚度为100A~250A。

优选的，所述电极为相互结合的电极底层和电极表层，所述电极底层为Cr涂层，所述电极表层为Ni涂层。

优选的，所述Cr涂层厚度为200A~400A。

优选的，所述Ni涂层厚度为8000A~20000A。

优选的，所述导线为金线或铜线。

优选的，所述DLC涂层完全覆盖所述玻璃基板的上表面。

优选的，所述电极设于LED芯片的两侧。

本发明还揭示一种基于玻璃基板的LED器件的制备方法，包括如下步骤：

S1、采用超声波清洗技术对玻璃基板进行表面清洗；

S2、清洗完的玻璃基片置于镀膜真空室内，抽至1*10^-4Pa以上的真空度；

S3、利用阳极层离子束开始对玻璃基板进行离子轰击清洗，具体为：引入纯度为99.999%的高纯氩气，真空度保持在2.0~3.0*10^-1Pa，离子束上所施加的放电电压为1.2kV~1.8kV，放电电流10~30mA，轰击清洗时间为10~20分钟；

S4、利用阳极层离子束开始DLC的沉积，具体为：引入碳氢气体，真空度保持在1.0~2.0*10^-1Pa，离子束上所施加的放电电压为0.8kV~1.3kV，放电电流20~30mA，沉积涂层厚度100A~250A；

S5、利用磁控溅射阴极开始沉积金属Cr层，具体为：通入纯度为99.999%的高纯氩气，真空度2.0~3.0*10^-1Pa，磁控溅射靶上的功率密度为7~9W/cm²，沉积涂层厚度200A~400A；

S6、利用磁控溅射阴极开始沉积金属Ni层，具体为：通入纯度为99.999%的高纯氩气，真空度2.0~3.0*10^-1Pa，磁控溅射靶上的功率密度为7~9W/cm²，沉积涂层厚度8,000A~20,000A；

S7、采用回流焊将LED芯片固定在玻璃基板上的DLC涂层上面，所述LED芯片的正负极分别和设于玻璃基板上的电极以金线连接，再在其上以荧光胶封装。

本发明的有益效果主要体现在：

1.采用普通玻璃作为LED线路板的基板可以使得光源全周发光，避免传统基板不透光致使光源只能在180°之内发光的缺陷，光线能得到充分利用，减少热量产生。

2.采用气相沉积技术在玻璃基板上制作线路，确保线路具有良好的附着性和导电特性，同时在玻璃基板上沉积一层类金刚石材料，大幅改善LED线路板的导热能力。

附图说明

图1为本发明基于玻璃基板的LED器件的结构示意图。

其中：1、LED芯片；2、玻璃基板；3、DLC涂层；4、Cr涂层（电极底层）；5、Ni涂层（电极表层）；6、导线。

具体实施方式

类金刚石涂层(Diamond-like Carbon)，或简称DLC涂层是含有金刚石结构sp³键和石墨结构sp²键的亚稳非晶态物质。DLC涂层由于其自身的特性具有诸多优异性能，如高硬度、高耐磨性、化学性能稳定、高光致发光率和高电致发光率、以及优异的热转化效率和导热性能等。