[发明专利]基于玻璃基板的LED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：包括玻璃基板（2），通过气相沉积技术制备于所述玻璃基板（2）上的DLC涂层（3），所述DLC涂层（3）的上方设有LED芯片（1）和电极，所述LED芯片（1）和电极之间通过导线（6）电性导通。

2.根据权利要求1所述的基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：所述DLC涂层（3）厚度为100A~250A。

3.根据权利要求1所述的基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：所述电极为相互结合的电极底层和电极表层，所述电极底层为Cr涂层（4），所述电极表层为Ni涂层（5）。

4.根据权利要求3所述的基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：所述Cr涂层（4）厚度为200A~400A。

5.根据权利要求3所述的基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：所述Ni涂层（5）厚度为8000A~20000A。

6.根据权利要求1所述的基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：所述导线（6）为金线或铜线。

7.根据权利要求1所述的基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：所述DLC涂层（3）完全覆盖所述玻璃基板（2）的上表面。

8.根据权利要求1所述的基于玻璃基板的LED器件，其特征在于：所述电极设于LED芯片（1）的两侧。

9.一种基于玻璃基板的LED器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

S1、采用超声波清洗技术对玻璃基板进行表面清洗；

S2、清洗完的玻璃基片置于镀膜真空室内，抽至1*10^-4Pa以上的真空度；

S3、利用阳极层离子束开始对玻璃基板进行离子轰击清洗，具体为：引入纯度为99.999%的高纯氩气，真空度保持在2.0~3.0*10^-1Pa，离子束上所施加的放电电压为1.2kV~1.8kV，放电电流10~30mA，轰击清洗时间为10~20分钟；

S4、利用阳极层离子束开始DLC的沉积，具体为：引入碳氢气体，真空度保持在1.0~2.0*10^-1Pa，离子束上所施加的放电电压为0.8kV~1.3kV，放电电流20~30mA，沉积涂层厚度100A~250A；

S5、利用磁控溅射阴极开始沉积金属Cr层，具体为：通入纯度为99.999%的高纯氩气，真空度2.0~3.0*10^-1Pa，磁控溅射靶上的功率密度为7~9W/cm²，沉积涂层厚度200A~400A；

S6、利用磁控溅射阴极开始沉积金属Ni层，具体为：通入纯度为99.999%的高纯氩气，真空度2.0~3.0*10^-1Pa，磁控溅射靶上的功率密度为7~9W/cm²，沉积涂层厚度8,000A~20,000A；

S7、采用回流焊将LED芯片固定在玻璃基板上的DLC涂层上面，所述LED芯片的正负极分别和设于玻璃基板上的电极以金线连接，再在其上以荧光胶封装。