[发明专利]显示设备、裸眼3D功能面板的信号基板及其制造方法有效
申请号: | 201310275057.8 | 申请日: | 2013-07-02 |
公开(公告)号: | CN103383925A | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 郭会斌;王守坤;刘晓伟;朱夏明;郭总杰 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 裸眼 功能 面板 信号 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种裸眼3D功能面板的信号基板及其制造方法,以及一种显示设备。
背景技术
现有技术中制造裸眼3D功能面板的信号基板(3D barrier signal glass)的方法包括:
参见图1(a)和图1(b),在整个玻璃基板10上沉积信号线金属层,经过第一次涂胶、曝光、显影,在光刻胶层上形成第一块掩膜板(mask)上的图形,经过第一次刻蚀并去除光刻胶,形成信号线金属电极11,其中,信号线金属电极11为环形电极;
参见图2(a)和图2(b),在整个玻璃基板10上沉积钝化层(passivation)21,经过第二次涂胶、曝光、显影,在光刻胶层上形成第二块mask上的图形,经过第二次刻蚀刻蚀掉信号线金属层上方的钝化层,去除光刻胶,形成钝化层21,并在信号线金属电极11上形成方形的过孔22;
参见图3(a)和图3(b),在整个玻璃基板10上沉积透明导电层,一般透明导电层为氧化铟锡(ITO)层,经过第三次涂胶、曝光、显影,在光刻胶层上形成第三块mask上的图形,经过第三次刻蚀并去除光刻胶,形成间隔的ITO电极31,ITO电极31为条形电极,ITO条形电极31与信号线金属电极11通过方形的过孔22相连。
上述制造3D barrier signal glass的方法后,可保证环形的信号线金属电极11分别给条形的ITO透明导电电极31加电,满足3D barrier signal glass的设计要求。
综上所述,现有技术中制造3D barrier signal glass,采用信号线金属层、钝化层和ITO透明导电层三层结构,每层结构均需单独设计mask且需要进行三次光刻,工序较多,影响产品生产效率,提高生产成本。
发明内容
本发明实施例提供了一种裸眼3D功能面板的信号基板及其制造方法,以及一种显示设备,用以提高设备利用率和产品生产效率,降低生产成本。
本发明实施例提供的一种制造3D功能面板的信号基板的方法,该方法包括:
在基板上形成透明电极薄膜,在透明电极薄膜上形成钝化层;
通过构图工艺形成透明电极以及钝化层过孔,所述过孔用于连接透明电极与信号线;
制作信号线,所述信号线通过所述过孔与透明电极连接。
本发明实施例提供的一种制得的裸眼3D功能面板的信号基板,该信号基板包括:基板以及位于基板上的透明电极,位于透明电极层上的钝化层,以及钝化层上的信号线,其中,信号线通过钝化层上的过孔与透明电极相连。
本发明实施例提供的一种显示设备,该设备包括所述的裸眼3D功能面板的信号基板。
综上所述,本发明实施例提供的技术方案中,所述信号基板制造方法包括:在基板上形成透明电极薄膜,在透明电极薄膜上形成钝化层;在通过构图工艺形成透明电极以及钝化层过孔,所述过孔用于连接透明电极与信号线;制作信号线,所述信号线通过所述过孔与透明电极连接。本发明实施例提供的上述方法采用2次光刻工艺,减少了mask制作成本,减少一次曝光工艺,缩短了工艺流程,提高了设备利用率和产品生产效率,降低生产成本。
附图说明
图1(a)和图1(b)分别为现有技术中制得的信号线金属电极的截面图与主视图;
图2(a)和图2(b)分别为现有技术中在图1的基础上制得的钝化层的截面图与主视图;
图3(a)和图3(b)分别为现有技术中在图2的基础上制得的ITO电极的截面图与主视图;
图4为本发明实施例中制造裸眼3D功能面板的信号基板的方法流程图;
图5(a)和图5(b)分别为本发明实施例中ITO层与钝化层沉积后的截面图与主视图;
图6(a)和图6(b)分别为本发明实施例中在图5的基础上涂抹光刻胶并采用半曝光掩膜板对光刻胶进行曝光和显影后得到的第一光刻胶层与第二光刻胶层的截面图与主视图;
图7(a)和图7(b)分别为本发明实施例中在图6的基础上刻蚀掉无光刻胶层覆盖的钝化层后的截面图与主视图;
图8(a)和图8(b)分别为本发明实施例中在图7的基础上去除掉第二光刻胶层后的截面图与主视图;
图9(a)和图9(b)分别为本发明实施例中在图8的基础上制得的ITO电极的截面图与主视图;
图10(a)和图10(b)分别为本发明实施例中在图9的基础上刻蚀掉原来被第二光刻胶层覆盖的钝化层后的截面图与主视图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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